产品推荐 | DFN0606 MOSFET：小封装里的高效器件

新一代智能手机、智能手表/健身跟踪器、耳塞和 GPS 跟踪器继续拓展着科技的边界。当然，它们都有一个共同点，空间有限，很难容纳消费者想要的所有功能，并且还需要更长的电池续航能力。为了与可穿戴设备的新发明保持一致，设计者一直在努力寻找满足每种功能的高效解决方案。

对于移动和便携式产品应用中，尤其是可穿戴设备来说，准则是更精简、更高效。通过使用高效的开关选项，设计者可以拥有更多空间来嵌入功能，同时最大限度降低电池消耗。Nexperia（安世半导体）新发布的小信号 MOSFET 采用超小型 DFN0606，拥有低导通电阻，能够节省大量空间。

低导通电阻的超小型 MOSFET

在一系列低电压开关方面，小信号 MOSFET 是理想的选择，Nexperia（安世半导体）新推出的 PMH 系列20/30 V、N沟道和P沟道器件，在超小型 DFN0606 中处于领先地位。它们可在 0.62 x 0.62 mm 占位面积中实现低导通电阻。凭借这些器件中使用的先进工艺技术，Rdson 方面可以轻松地在更大的封装（DFN0806和DFN1006）中与许多器件竞争。

除了低导通电阻，它们还提供出色的 ESD 性能，并且仅需 0.7 V 的阈值电压即可工作，这对于低驱动电压的便携式产品应用至关重要。Nexperia（安世半导体）的 DFN0606 产品组合也具有与 DFN1006 封装相同的 0.35 mm 间距，简化了设计和制造，同时具备高性能和空间优势。凭借我们大批量生产制造能力，可以快速扩产，尽可能满足市场需求。

△ DFN0606 超小型封装

人气旧款已经焕然一新