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在2000年的第一个月,Santa Clara University的Sergey Savastiou教授在Solid State Technology期刊上发表了一篇名叫《Moore’s Law – the Z dimension》的文章。这篇文章最后一章的标题是Through-Silicon Vias,这是 Through-Silicon Via 这个名词首次在世界上亮相。这篇文章发表的时间点似乎也预示着在新的千禧年里,TSV注定将迎来它不凡的表演。
TSV示意图
TSV,是英文Through-Silicon Via的缩写,即是穿过硅基板的垂直电互连。
如果说Wire bonding(引线键合)和Flip-Chip(倒装焊)的Bumping(凸点)提供了芯片对外部的电互连,RDL(再布线)提供了芯片内部水平方向的电互连,那么TSV则提供了硅片内部垂直方向的电互连。 作为唯一的垂直电互连技术,TSV是半导体先进封装最核心的技术之一。
与集成电路一起诞生的垂直互联
技术的突破
走向商用
不走寻常路的Sil - Via
结 语
References
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