这是stm32 5V兼容IO端口位的基本结构图，里面提到了推挽和开漏电路。文档出处是STM32 Reference Manual(RM008)（网址太长，附在文末），意法半导体中国投资公司，MCU技术支持组翻译的。为了更好地理解端口的电路特性，我觉得有必要好好复习一下很多年前学习的模拟电路知识，三极管，基极，发射极以及集电极。
网上找到了非常有趣的资料，分享一下资料的网站:
http://www.cntronics.com/
我下面的引用出自下面的网址:
http://www.cntronics.com/art/artinfo/id/80034883
三极管有很多种表示的图片，电路原理图的形式，实物图，以及工艺结构图。下面就引用别人的图片，介绍一下一个三极管是如何生产出来的，很有趣，和印刷电路板类似，顺便也能理解什么是光刻。
平面技术NPN三极管
硅基片表面氧化，清洗硅基片，在1200°C氧气氛热处理形成氧化硅层。
涂布光敏胶，光敏胶涂覆在硅基片表面
光刻，紫光照射，没有光掩膜遮挡的区域光敏胶曝光后通过显影定影工艺被清除，露出SiO2层。
刻蚀出基区窗口，用刻蚀液将露出的SiO2层腐蚀掉，有光刻胶覆盖的区域保留下来。
硼扩散制作基区，1100℃氧气氛中硼扩散，同时生成氧化层SiO2
磷扩散制作发射区，在硼基区上，通过光刻，曝光，刻蚀，磷扩散，950℃氧气氛中磷扩散，制作N型硅发射区。
引出电极
看到引出电极，我想到在德国Fraunhofer研究所上的半导体课程，德国教授对于不同材质之间接触点真的精细到家了，微米级别的放大图片一张接着一张，不放过任何一种可能，任何一个细节，深入到每一处间隙。
下面这张图对于三极管的放大作用的解释非常形象，通过在基极加上微弱的电压，另外两端的电子通过两个被打通的PN结流动，从而实现了小电流控制大电流的效果，也就说放大。
当Vin电压为V+时，上面的N型三极管控制端有电流输入，Q3导通，于是电流从上往下通过，提供电流给负载。
经过上面的N型三极管提供电流给负载（Rload），这就叫「推」。
当Vin电压为V-时，下面的三极管有电流流出，Q4导通，有电流从上往下流过。
经过下面的P型三极管提供电流给负载（Rload），这就叫「挽」。
要理解开漏，可以先理解开集。如图，开集的意思，就是集电极C一端什么都不接，直接作为输出端口。
如果要用这种电路带一个负载，比如一个LED，必须接一个上拉电阻
开漏电路，就是把上图中的三极管换成场效应管（MOSFET）。
https://www.st.com/resource/en/reference_manual/cd00171190-stm32f101xx-stm32f102xx-stm32f103xx-stm32f105xx-and-stm32f107xx-advanced-arm-based-32-bit-mcus-stmicroelectronics.pdf
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