碳化硅成本不断下降,渗透率将持续提升
2012 年碳化硅二极管的成本是硅基肖特基二极管的 5-7 倍,碳化硅 MOSFET 是硅基MOSFET 成本的 10-15 倍。经过 3 年时间,碳化硅二极管的价格下降了 35%,碳化 硅 MOSFET 的价格下降了 50%。
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我们认为碳化硅成本将持续下降,驱动成本下降的主要有以下几个因素。
(1)4 寸线向 6 寸线迁移的过程降低 20-40%成本。
(2)碳化硅外延片技术在持续进步,颗粒污染等缺陷率在持续下 降,推动芯片良率 大幅上升。
(3)随着规模的扩大和经验的积累,碳化硅芯片制程工艺日益成 熟,制造的良率在 持续提升
目前碳化硅、氮化镓产品的成本相对较高 ,应用领域受限于一些性能 要求高的领域。 整体来看,碳化硅器件的良率和硅工艺有着明显的差距。
汽车应用将推动碳化硅渗透率快速上升
汽车应用领域,碳化硅器件替代硅器件是确定的发展趋势。碳化硅功率器件的应用领 域在持续的拓展。
早期碳化硅主要应用于功率校正电路(power factor correction 电 路),目前量产应用领域已经拓展至光伏逆变器、汽车车载充电机(onboard charger)。
预计 2019-2020 年,电动车动力系统将导入碳化硅功率器件,进一步拓宽量产应用 领域。
目前 Tier-1 汽车供应链企业都在尝试导入碳化硅,积极开展碳化硅功率器件的测试工 作。丰田在 2015 年 2 月启动了碳化硅功率器件的实车测试工作,路测原型车在 PCU的升压转换器和电机控制逆变器搭载了碳化硅功率器件。
据产业链调研信息,比亚迪 已经在电动车车载充电机(charger on board)导入碳化硅功率器件。