Cadence公司的Quantus中提供的IVMF功能在各个工艺节点都具有很高的精度，对于Metal Fill的模拟可以帮助工程师在布局绕线的同时考虑到Metal Fill对于芯片整体的影响，从而有效提高整体的设计效率，保证整体设计周期。

一、Dummy Metal fill对于先进工艺的影响

化学机械抛光 (Chemical-mechanical polishing, 简称CMP) 是半导体工艺的一个步骤。但是其也有自身的缺陷，例如某些没有任何互联金属线的区域会产生大片的凹陷区域(如下图所示)，经过了CMP这道工序之后也依然存在，其危害则是会导致信号延迟。这种情况在电路设计中非常普遍，例如在memory设计或者模拟电路设计中经常会有大片没有信号走线的区域存在。

如何在设计中有效考虑Dummy Metal Fill对于芯片的影响-电子工程专辑 (eet-china.com)

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