200毫米晶圆(8寸)在当前属于较为落后的技术水平,但自去年以来,全球200毫米晶圆厂产能就一直存在短缺。尽管不涉及300mm工艺生产的尖端芯片,但200毫米产能可以满足无晶圆厂设计公司的需求:对于大量在老旧200毫米成熟节点上制造的元器件,比如模拟器件、通信IC和传感器,200毫米尽管落后但依然有市场需求。
虽然内存和闪存给SK Hynix带来了丰厚的利润,但SK Hynix希望减少对他们的依赖,并寻找新的增长点。内存虽然现在赚钱,但等中国掌握技术之后,谁又能预测未来的市场?
另一条消息,三星刚刚宣布第五代V-NAND三维闪存进入量产阶段。新一代3D闪存将使用96层堆叠技术,但存储容量保持在单Die 256Gb不变。
在此之前3D闪存一直是以存储容量作为主要增长点,第五代V-NAND只保留了64层堆叠初期的存储密度,毕竟三星64层3D闪存进入SSD产品也还没多久。三星将远期目标设置在1Tb单Die容量,这将需要QLC形式闪存来实现。
尽管存储容量没有增长,但由于物理尺寸缩减,第五代V-NAND的存储密度实际上有所增加。除此之外,第五代V-NAND将使用全新Toggle 4.0闪存接口,闪存芯片与主控之间的接口带宽提升40%,达到1.4Gbps,闪存写入延迟相比上代技术也将下降30%左右。第五代V-NAND还将使用1.2V电压取代当前使用的1.8V电压,从而带来功耗方面的进步,移动电子设备将从中受益。
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