海力士往中国搬工厂 三星宣布96层堆叠3D闪存

200毫米晶圆（8寸）在当前属于较为落后的技术水平，但自去年以来，全球200毫米晶圆厂产能就一直存在短缺。尽管不涉及300mm工艺生产的尖端芯片，但200毫米产能可以满足无晶圆厂设计公司的需求：对于大量在老旧200毫米成熟节点上制造的元器件，比如模拟器件、通信IC和传感器，200毫米尽管落后但依然有市场需求。

虽然内存和闪存给SK Hynix带来了丰厚的利润，但SK Hynix希望减少对他们的依赖，并寻找新的增长点。内存虽然现在赚钱，但等中国掌握技术之后，谁又能预测未来的市场？

另一条消息，三星刚刚宣布第五代V-NAND三维闪存进入量产阶段。新一代3D闪存将使用96层堆叠技术，但存储容量保持在单Die 256Gb不变。

在此之前3D闪存一直是以存储容量作为主要增长点，第五代V-NAND只保留了64层堆叠初期的存储密度，毕竟三星64层3D闪存进入SSD产品也还没多久。三星将远期目标设置在1Tb单Die容量，这将需要QLC形式闪存来实现。

尽管存储容量没有增长，但由于物理尺寸缩减，第五代V-NAND的存储密度实际上有所增加。除此之外，第五代V-NAND将使用全新Toggle 4.0闪存接口，闪存芯片与主控之间的接口带宽提升40%，达到1.4Gbps，闪存写入延迟相比上代技术也将下降30%左右。第五代V-NAND还将使用1.2V电压取代当前使用的1.8V电压，从而带来功耗方面的进步，移动电子设备将从中受益。