模拟信号4-20ma、0-5V、0-10V多路高精度直流转换隔离器
模拟电路基础
半导体器件
导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。纯净的半导体称为本征半导体,其导电能力很弱,但是在本征半导体中掺入微量的其他元素就会使半导体的导电性能发生显著变化,且根据掺入杂质的不同,分为N型和P型两类。
应用和主要特性:
>> 地线干扰抑制>> 工业现场信号隔离与放大 >> 电磁阀、比例阀门线性驱动器
>> 电磁开关线性控制器>> 电流信号放大或电压信号驱动能力加强 >> 电磁驱动线圈或大功率负载>> 精度、线性度误差等级： 0.2、0.5级>> 信号输入/信号输出 3000VDC隔离
>> 辅助电源与输出信号不隔离>> 4-20mA/0-5V/0-10V等标准信号输入>> 辅助电源：24V直流单电源供电>> 0-3A/0-5A等电流信号输出>> 0~1V(max 5A)/0~10V/0-24V(max 5A) 等电压信号输出>> 工业级温度范围: - 45 ~ + 85 ℃>> 螺丝固定安装，插拔式接线端子>> 尺寸：120 x 105 x 29mm
产品选型表：
DIN11F IBF - V(A)□ - P□ – V(A)□
输入信号
电压
代码
电流
代码
0-5V
V1
0-1mA
A1
0-10V
V2
0-10mA
A2
0-75mV
V3
0-20ma
A3
0-2.5V
V4
4-20mA
A4
用户自定义
Vz
用户自定义
Az
供电电源
Power
代码
24VDC
P1
输出信号
电流
代码
电压
代码
0-20mA
A3
0~5V
V1
4-20mA
A4
0-10V
V2
用户自定义
Az
1-5V
V6
用户自定义
Vz
注：定货时请告知输出负载电阻的大小。
选型举例：
例1：输入信号:0-10V 供电电源:24V 输出信号:0-5A 负载电阻: 4.8欧姆 型号:DIN11F IBF V2-P1-Az
例2：输入信号:0-10V 供电电源:12V 输出信号:0-10V 负载电阻: 2欧姆 型号:DIN11F IBF V2-P2-V2
例3：输入信号:0-3V 供电电源:24V 输出信号:0-24V 负载电阻: 4.8欧姆 型号:DIN11F IBF Vz-P1-Vz
通用参数
参数名称
测试条件
最小
典型值
最大
单位
隔离
信号输入与信号输出之间隔离，辅助电源与输出信号不隔离
隔离耐压
50Hz，1分钟,漏电流1mA
3000
VDC
耐冲击电压
3.5KV， 1.2/50us(峰值)
工作温度
-45
+85
℃
工作湿度
无凝露
10
90
%
存储温度
-45
+85
℃
存储湿度
10
95
℃
引脚
名 称
描 述
1
IN+
模拟信号输入正端
2
IN-
模拟信号输入负端
3
PW+
电源正端
4
5
GND
电源负端
6
引脚
名 称
描 述
7
OUT+
模拟信号输出正端
8
9
OUT-
模拟信号输出负端
10
2.1.1半导体器件的基础
1.N型半导体
在硅(或锗)的晶体中掺入五价元素(如磷、砷、锑等)后,杂质原子取代了晶格中某些硅原子的位置。这种杂质半导体中,电子的浓度比同一温度下本征半导体中电子的浓度大许多倍,这就大大加强了半导体的导电能力,把这种杂质半导体称为N型半导体。在N型半导体中,电子的浓度远大于空穴的浓度,所以将电子称为多数载流子(简称多子),将空穴称为少数载流子(简称少子)。
2.P型半导体
在硅(或锗)的晶体中掺入微量的三价元素(如硼、铝、铟等)后,杂质原子的3个价电子与周围的硅原子形成共价键时,出现一个空穴。这种杂质半导体中空穴是多子,电子是少子,称为P型半导体。
在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结。PN结是构成各种半导体器件的基础。
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