本设计实例报告描述了使用InnoSwitch-CH INN2023K的10 W CV / CC单面USB充电器。它具有内置的同步整流功能,可实现高效率和单面
PCB。此外,它具有二次侧控制的所有优点,并具有初级侧调节的简单性。<10 mW空载输入功率和±3%CV,±5%CC调节,对变压器变化不敏感,其瞬态响应与负载时序无关。该设计适用于
手机/ USB充电器。
图1填充
电路板,俯视图
图2填充电路板,底视图
图3示意图
输入EMI滤波保险丝F1可防止初级侧组件发生灾难性故障。
由于整流桥BR1的低浪涌电流额定值和相对较高的值以及因此大容量存储电容器C1和C2的低阻抗,因此需要浪涌限制热敏电阻(RT1)。
由于空间有限,特别是从PCB到外壳的高度,选择了物理上小的桥式整流器BR1。
电容器C1和C2提供经整流的AC输入的滤波,并与L1和L2一起形成π(pi)滤波器以衰减差模EMI。低值Y电容(C8)可降低共模EMI。
InnoSwitch-CH IC初变压器初级的一侧连接到整流的直流总线,另一侧连接到InnoSwitch-CH IC(U1)内部的集成650 V功率MOSFET。
由D1,R1,R2和C3组成的低成本RCD钳位由于变压器和输出走线电感的影响而限制了峰值漏极电压。
IC是自启动的,在首次施加AC时,使用内部高压电流源为BPP引脚电容(C4)充电。在正常操作期间,初级侧块由变压器上的辅助绕组供电。其输出配置为反激绕组,经过整流和滤波(D2和C5),并通过限流电阻R3馈入BPP引脚。
InnoSwitch-CH IC中InnoSwitch-CH的次级侧提供输出电压,输出电流检测和驱动至MOSFET,提供同步整流。
变压器的次级通过Q1进行整流,并通过C10滤波。在开关瞬态期间的高频振铃会通过缓冲器组件R5和C9减少,否则会在Q1上产生高电压并辐射EMI。
IC的次级侧由次级绕组正向电压或输出电压自供电。在CV操作期间,输出电压为器件供电,馈入VO引脚。
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