英特尔公司终于公布一款Optane产品，并同时介绍了其具体速度表现。
这款TL;DR版本为今年年末即将推出的'Optane SSD DC P4800X'产品，其起步存储容量为375 GB，且拥有相当惊人的随机读取IOPS性能，能够作为内存或者存储介质加以使用。
英特尔公司表示，这款SSD采用3D XPoint介质并配备有内置内存、控制器、互连IP以及英特尔软件; 根据我们的了解，芯片巨头希望利用这一套完整堆栈使其拥有更为强大的性能表现。该公司指出，P4800X拥有'业界领先的低延迟、高使用寿命、QoS以及高通量等综合性优势'。其提供突破性的性能水平，可预测的高速服务能力并具备负载下响应与'极高使用寿命'。
英特尔公司对于P4800X的负载下延迟表现感到振奋，表示其表现远超上一代DC P3700 SSD产品，具体请参阅以下图表：
而所谓'极高'使用寿命，则是指P4800X拥有每天30次全盘写入（简称DWPD）承载能力，远高于普通NAND SSD的每天0.5到10次水平。英特尔方面同时指出，P4800X的整体可写入字节量达到同等容量的DC P3700 SSD的2.8倍--后者提供五年周期的每天17次全盘写入使用寿命承诺。
性能表现
芯片巨头表示，P4800X在低队列深度下拥有出色的性能表现。以下为具体规格：
英特尔方面宅邸，P4800X在低队列深度场景下的性能可达普通NAND SSD的5到8倍--之所以这类场景如此重要，是因为大多数应用程序都会生成低队列深度工作负载，而非仅仅取决于原始IOPS。因此，英特尔指出P4800X是'具有高水平延迟要求的关键性应用程序的理想选择'。
不过令人有所怀疑的是，英特尔公司并没有直接提供性能数字，而只是给出了相当于DC P3700 SSD性能的多少倍。这款SSD属于2D 20纳米MLC（二层单元）NAND驱动器，发布于2014年6月。P3700的容量区间包括400 GB、800 GB、1.6 TB以及2 TB。其连续读取/写入IO延迟为20/20微秒。
我们整理出一份表格用以比较这两款驱动器，其中使用的正是英特尔给出的原始P3700性能参数，并据此计算出P4800X的性能水平。
英特尔P3700与P4800X性能比较图表
全部列出的数字皆为'最高'。而我们使用的是400 GB容量版本的写入数字。我们目前找不到高负载强度场景下的P3700性能参数。
这里我们最为关注的是随机读取IOPS。根据此前泄露的Optane P4800X参数表，其随机IOPS最高为55万。随机读取IOPS
然而我们计算得出的结果为460万，远远高于原先的55万，这无疑令人感到费解。不过根据英特尔公司的说法结合其公布的DC P3700随机读取IOPS数字，460万这一数字又确实无误。
英特尔公司DC P3700性能参数表
也许是我们在计算过程中取了'最高'值而导致结果与实际情况偏离甚远？
一位熟知3D XPoint内情的技术高管评论称：
英特尔公司的说法确实可信。3D XPoint作为存储介质拥有极为强大的速度表现。问题在于，其配套的控制器/固件能够真正实现这样的水平？目前全球最出色的NAND设备能够在高队列深度4K随机读取场景下实现约100万IOPS。NVMe能够支持6万4千个深度为64 K的队列，如果英特尔能够充分发挥这一潜力，那么460万IOPS并非不可能。
那么与作为竞争对手的NVMe SSD比较，3D XPoint表现又如何？三星的PM1725a NVMe SSD（48层3D TLC NAND）最高随机读取IOPS为100万5千。据我们了解，速度位列第二的为希捷公司的Nytro XP7200，IOPS为94万4。如此比较，460万IOPS的数字确实相当惊人。
我们已经向英特尔方面进行了求证，该公司的一位发言人表示：
英特尔Optane SSD DC P4800X的性能规格源自队列深度不高于16的情况，演示文稿中的数字即来自这一场景。P3700性能测试结果的队列深度要高得多。在队列深度为16时，英特尔Optane SSD DC P4800X的性能可达DC P3700的10倍。
也就是说，P4800X的随机读取IOPS数字一定达不到460万--但具体能达到多少，我们也不清楚。
进一步讨论
P3700提供的七三混合比IOPS数值来自英特尔公司的官方页面，且这里使用的是400 GB版本的P3700。
关于QoS，其提升60倍达到90%，77倍则达到99.99%，意味着这两项百分比间的差异开始减少--值得肯定。
3D Xpoint DC P4800X SSD
英特尔公司指出，P4800X可作为高速存储及缓存产品使用，亦可充当大容量DRAM，其PCIe 3D NAND SSD所处的存储层则低于XPoint。未来英特尔XPoint DIMM亦将尝试把这套高容量内存资源池添加至服务器当中。
该公司亦表示，在BIOS与操作系统之间加载'英特尔内存驱动器技术'之后，DC P4800X即可无缝充当内存子系统。这款软件能够将DRAM与P4800X SSD共同添加至单一内存资源池内，从而模拟出一套易失性内存池。其适用于任何操作系统，但需要配合至强CPU方可正常起效。
Optane SSD可提供与DRAM类似的性能表现，不过英特尔方面表示这一水平仅限于特定某些应用程序，例如经过数据局部优化的矩阵乘法应用。芯片巨头同时强调称，Optane的价格比DRAM更为便宜。
目前DC P4800X的OEM厂商包括戴尔-EMC与HPE--双方皆计划将其作为缓存层使用--外加联想、Nutanix与Supermicro。
至于P4800X与英特尔当初公布的3D XPoint性能指标之间有何差距--包括速度可达闪存的1000倍、使用寿命同样可达1000倍以及存储密度可达传统内存的10倍等，我们认为这种讨论太过无聊，完全没有实际意义。
截至目前，英特尔公司仅向其特定合作伙伴提供DC P4800X。批量销售将在今年下半年正式开始，即还有6个月的时间窗口。其具体上市时间如下：
AIC
·375 GB - 初步于3月19日上市，同年下半年批量销售。
·750 GB - 2017年第二季度。
·1.5 TB - 2017年下半年。
U.2
·375 GB - 2017年第二季度。
·750 GB - 2017年下半年
·1.5 TB - 2017年下半年
根据我们得到的消息，Optane未来还将推出DIMM版本，但具体时间未知。
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