国家“十四五”规划纲要中，明确提出要加强原创性引领性科技攻关，重点攻关第三代半导体领域，支持IGBT发展，专门明确将IGBT列为下一个5年科技前沿领域攻关项目。
IGBT的全名为绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），具有高电压、大电流、高频率、低导通压降等特点，自20世纪80年代初期发明至今，目前已发展到第6代产品，是一种在轨道交通、智能电网、新能源汽车上应用极为广泛的功率半导体。
IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式半导体器件，结合了MOS管低驱动电流和晶体三极管低导通电阻的优势，通过十几伏的门极控制信号，即可实现kV级电压和kA级电流的控制，开关频率可达每秒几万次。
IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，其内部结构如图：
IGBT是一种由控制电路控制、是否导电的半导体。G是栅极，也就是控制极，C是集电极，E是发射极。例如控制电路指示为通，我们给G电极高电平，那么 IGBT就会导通，IGBT就是导体，有电流通过；如果控制电路指示为断，我们给G电极低电平，那么 IGBT就会截止，则IGBT就是绝缘体，没有电流通过。
IGBT最主要的作用是可以很容易地将输入的高压直流电流转换为高压交流电，只需通过脉宽调制即可实现变频控制。在新能源汽车中，IGBT的主要应用包括电机控制器（MCU）、车载充电器（OBC）、车载空调、以及为新能源汽车充电的直流充电桩。
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