碳化硅驱动电路的实用设计技术

中科院一区SCI期刊IEEE JESTPE专刊征稿

面向交直流混合电网的智能固态变压器

截稿日期：2020年9月1日

https://www.ieee-pels.org

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 特别致谢报告专家 

郑姿清  高级工程师

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专家介绍

  /  郑姿清/

郑姿清，女，1982年出生，现任英飞凌大中华区工业功率控制事业部高级工程师。主要工作包括国内驱动芯片产品和总部的对接，收集国内客户需求，与总部研发相关部门共同推动英飞凌产品在客户的实际应用，比如绝缘等级的提升、爬电距离的增加、管脚功能定义的兼容等。郑女士2007年毕业于上海海事大学，获得电力电子专业硕士学位。擅长IGBT器件开关性能的研究和测试，拥有超过十年的相关经验，熟悉IGBT，SiC器件及其驱动芯片的特点，熟悉功率开关器件的驱动电路设计。发表驱动设计相关论文5篇。2007年，负责国内首个半导体开关器件双脉冲测试平台的搭建。可以实现器件的开关动态特性的测量，对客户实际应用带来巨大帮助；2008~2009年，参与3300V的IGBT模块并联设计，解决了短路退饱和缓慢引起失效问题；2014年，首次使用交流恒流源进行热测试，对结温测量的方法发表了论文；2015~2016年，研究了多级开通对马达驱动的优势，设计完成了测试板，平衡了开关损耗和EMI之间的矛盾；2017~2018年，参与国际知名厂商SiC模块多并联产品项目，承担了PCB电路设计和测试相关的工作。郑女士在磁隔器件及其应用上有丰富的经验。例如，曾研究多级开通驱动对马达应用类的好处，实现了磁隔离驱动芯片在相关测试板上的应用。