上马DDR5、EUV，2021年存储器大厂竞争激烈

导读：2021年，沉寂已久的存储器领域，DDR5、EUV和3D技术带来的竞争正在悄然加剧。

来源：BusinessKorea

据BusinessKorea报道，三星电子计划在2021年下半年正式推出下一代产品——DDR5 DRAM，其传输速度和容量都比当前市场主流DDR4 DRAM快得多，最高达6400 Mbps的速度传输数据，是DDR4 DRAM的3,200 Mbps的两倍。

同时，DDR5 DRAM的工作电压为1.1 V，这比DDR4芯片的1.2 V降低了9％。DDR5的最大容量为64 Gb，是DDR4的四倍。DDR5产品有望提高芯片制造商的盈利能力，因为其单价高于DDR4 DRAM。

图：DDR5性能增长路径

与此同时，全球第二大DRAM制造商SK Hynix于2020年10月6日首次在全球发布DDR5 DRAM。预计进入2021年以后，DDR5 DRAM在存储器市场中的份额有望快速增长。

市场研究公司TrendForce预测，DDR5在PC DRAM市场中的份额将从2020年的不到1％增长到2021年的10％。分析师预测，他们在服务器DRAM市场中的份额将从2020年的4％增加到15％。 

第三大存储器制造商美光公司在11月宣布，已开始在世界上首次批量生产176层NAND闪存。该公司表示，新的176层NAND产品在读写数据方面的性能提高了35％以上，与同类最佳竞争对手相比，其尺寸减少了30％。

同时，美光公司正在使用超紫外线（EUV）光刻技术来加快DRAM的开发，并用于量产10nm第四代（1a）之后的产品，这意味着正面加入同三星电子和SK Hynix发起的EUV竞赛。

SK海力士还于12月7日宣布，继美光之后，已于12月初开发了176层4D NAND闪存。SK Hynix强调，随着新产品将其生产率提高35％以上，176层NAND将提高其价格竞争力。

三星电子还计划在2021年发布第七代V-NAND闪存产品。理论上，第七代V-NAND闪存最多可以具有256层。

得益于去年10月从英特尔收购NAND闪存业务，SK海力士将其在全球NAND市场的市场份额扩大到23％左右。市场研究公司Omdia表示，截至2020年第二季度，三星电子以33.8％的份额在全球NAND市场中排名第一。Kioxia（以前是东芝）以17.3％位居第二，Western Digital以15％位居第三，英特尔以11.5％位居第四，而SK Hynix以11.4％位居第五。

市场专家预测，NAND闪存市场将比DRAM市场增长更快。“由于向智能手机5G转换以及服务器对SSD的需求，到2024年NAND需求将以每年30％到35％的速度增长，而DRAM的年平均增长率为15％到20％。”以为半导体行业人士表示。