尽管量子计算机概念非常吸引人，但不得不承认它在短期内无法实用化。现阶段引领电脑性能跃进的除了越来越多的CPU核心之外，还有高速存储媒介的发展。
高速存储可以概括为两种，一种是速度更快的缓存，一种是容量更大的存储级内存，二者共同特点是断电后不丢失数据。也就是说传统意义上的“运行内存“将变得越来越像过去我们所说的“外存“（如硬盘）。
近日英特尔宣布了颗用于CPU四级缓存的STT-MRAM技术研究进展。从分类上来看，它属于速度更快的缓存。目前的原型产品容量为2MB，在耐用性和误码率方面已经可以满足作为片内L4缓存使用的需求。
这颗2MB容量的STT-MRAM原型产品具备20ns写入延迟、4ns读取延迟，能够在110度条件下维持1秒的记忆——对于频繁交换数据的CPU缓存来说已经足够长。如果这项技术能够实用化，英特尔CPU或许可以在制程工艺落后的条件下重新找到新的性能增长点。
英特尔的关注点在于利用新的存储技术提升CPU效能。而作为闪存发明者的东芝将目光转向了发展速度更快、能部分取代内存作用的新型高速闪存XL-Flash。
XL-Flash是经过魔改优化的3D SLC闪存。NAND闪存本身就具备断电不丢失的特点，东芝通过使用SLC形态、优化4K Page和16-Plane架构，大幅改进其随机读写性能（读取延迟降低10倍左右），使其更接近内存用途。
目前NAND闪存和DRAM内存之间还有着较大的性能鸿沟，即便是东芝RD500这样的旗舰级NVMe固态硬盘也无法同RAMDISK内存盘比拼效能。
不过待XL-Flash在2020年实现量产之后，我们或许会看到完全不同的新局面。
除了存储内存应用之外，东芝还有计划将XL-Flash同3D QLC闪存搭配使用，整合前者高性能和后者大容量的优势。
当然了，高新技术问世之初肯定都是以企业级应用为主。作为普通玩家着眼现在能买的到的选择，存储极客推荐东芝近期推出的RC500 NVMe固态硬盘。作为定位主流级的型号，RC500完整继承了旗舰级RD500的DRAM缓存，PCMark 8实用效能分数比肩三星970Evo Plus和西数黑盘等一众旗舰级型号，而价格仅为后者的六成左右。
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