在半导体制造中,许多芯片工艺步骤采用光刻技术,用于这些步骤的图形“底片”称为掩膜,其作用是:在硅片上选定的区域中对一个不透明的图形模板遮盖,继而下面的腐蚀或扩散将只影响选定的区域以外的区域。
掩膜
通常在光罩上形成图形的基本步骤和硅片相似,一般来说光罩的制作分为数据处理部分和工艺制造部分。
光掩膜制作流程
1、数据转换:将如GDSII版图格式分层,运算,格式转换为光刻设备所知的数据形式;
2、图形产生:通过电子束或激光进行图形曝光;
3、光阻显影:曝光多余图形, 以便进行蚀刻;
4、铬层刻蚀对铬层进行刻蚀, 保留图形;
5、去除光阻去除多余光刻胶;
6、尺寸测量测量关键尺寸和检测图形定位;
7、初始清洗清洗并检测作为准备;
8、缺陷检测检测针孔或残余未蚀刻尽的图形;
9、缺陷补偿对缺陷进行修补;
10、再次清洗清洗为加保护膜版作准备;
11、加保护膜保护膜加在主体之上, 这防止灰尘的吸附及伤害;
12、最后检查对光掩膜作最后检测工作, 以确保光罩的正确
来源:南通华林科纳半导体设备有限公司
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