用MOS管作电路的防反接保护，优点是MOS管的饱和压降很小，可以减小对电源电压的损耗，适用于一些低压电路的保护，但MOS管的栅极输入阻抗极高（可达数十MΩ级），若栅极处理不好，容易受各种干扰，导致MOS管关闭，使负载无法工作。
上图是提问者给的NMOS管防反接保护电路，这个电路中的NMOS管的栅极直接接电源正极，虽然电路简单，但可靠性不高，若管子的栅极在PCB板上的布线不合理，MOS管容易受干扰，从而影响负载的正常工作。另外，NMOS管在PCB板上布线时，该管应接在被保护负载的地线上，不宜接在PCB板的总地线上，否则也会影响到NMOS管的正常工作。
由于MOS管的栅极输入阻抗极高，为了提高抗干扰能力，采用NMOS管作为防反接保护时，最好像上图所示电路那样，在管子的栅极接两个电阻来降低其输入阻抗。R1一般选用几KΩ电阻，R2选用大于100KΩ的电阻，这样即可提高MOS管的抗干扰能力。
