半导体产业是现代电子工业的核心，而半导体产业的基础是硅材料工业。虽然有各种各样新型的半导体材料不断出现，但 90%以上的半导体器件和电路，尤其是超大规模集成电路（ULSI）都是制作在高纯优质的硅单晶抛光片和外延片上的。
硅片清洗对半导体工业的重要性早在50年代初就已引起人们的高度重视，这是因为硅片表面的污染物会严重影响器件的性能、可靠性、和成品率。随着微电子技术的飞速发展以及人们对原料要求的提高，污染物对器件的影响也愈加突出。
20世纪70年代在单通道电子倍增器基础上发展起来一种多通道电子倍增器。微通道板具有结构简单、增益高、时间响应快和空间成像等特点，因而得到广泛应。它主要应用于各种类型的像增强器、夜视仪、量子位置探测器、射线放大器、场离子显微镜、超快速宽频带示波器、光电倍增器等。微通道板是一种多阵列的电子倍增器,是微光像增强器的核心部件。MCP的制作工艺周期长且复杂,表观疵病是制约MCP成品率的关键因素之一。在MCP的工艺制造过程中,不可避免遭到尘埃、金属、有机物和无机物的污染。这些污染很容易造成其表面缺陷及孔内污垢,产生发射点、黑点、暗斑等,导致MCP的良品率下降,使得管子质量不稳定以至失效,因此在MCP的制造过程中利用超声波清洗技术去除污染物十分重要。
简易
半导体产业是现代电子工业的核心，而半导体产业的基础是硅材料工业。虽然有各种各样新型的半导体材料不断出现，但 90%以上的半导体器件和电路，尤其是超大规模集成电路（ULSI）都是制作在高纯优质的硅单晶抛光片和外延片上的。
硅片清洗对半导体工业的重要性早在50年代初就已引起人们的高度重视，这是因为硅片表面的污染物会严重影响器件的性能、可靠性、和成品率。随着微电子技术的飞速发展以及人们对原料要求的提高，污染物对器件的影响也愈加突出。
20世纪70年代在单通道电子倍增器基础上发展起来一种多通道电子倍增器。微通道板具有结构简单、增益高、时间响应快和空间成像等特点，因而得到广泛应。它主要应用于各种类型的像增强器、夜视仪、量子位置探测器、射线放大器、场离子显微镜、超快速宽频带示波器、光电倍增器等。微通道板是一种多阵列的电子倍增器,是微光像增强器的核心部件。MCP的制作工艺周期长且复杂,表观疵病是制约MCP成品率的关键因素之一。在MCP的工艺制造过程中,不可避免遭到尘埃、金属、有机物和无机物的污染。这些污染很容易造成其表面缺陷及孔内污垢,产生发射点、黑点、暗斑等,导致MCP的良品率下降,使得管子质量不稳定以至失效,因此在MCP的制造过程中利用超声波清洗技术去除污染物十分重要。
清洗方式
普通的清洗方法一般不能达到孔内,而孔内芯料的反应生成物及其他污染物会在后序工艺中会产生重复污染。无论是采用有机溶剂或是清洗液清洗都容易引入新的污染源,然而利用超声波清洗技术却可以实现无重复污染,而且能深入MCP孔内的效果。对不同材料及孔径的MCP应采用频率、声强可调的超声波进行实验,以确定实际工艺参数。对孔径6~12μmMCP的清洗,当媒液为水和乙醇时,可采用空化阈约1/3 W/cm2,声强10~20 W/cm2,频率20~120 kHz的超声波进行清洗。表1是同一段不同板号的MCP采用不同频率超声波清洗后表观及电性能测试结果。由检测结果可见,对1μm以下的小颗粒污染物,应选用频率40 kHz以上的超声波进行清洗。
清洗温度
在硅片的清洗过程中，清洗液的温度是一个关键因素。合适的清洗温度能够加快油污的去除，得到最佳的清洗效果。当硅片浸到清洗液中，硅片上的油污产生膨胀，油污内部以及油污与硅片之间的作用力减弱，温度越高，油污膨胀越大，这种作用力就越弱，表面活性剂分子越容易将油污撬离硅片表面。同时，温度的变化可导致胶束本身性质和被增溶物在胶束中溶解情况发生变化。聚氧乙烯型表面活性剂的聚氧乙烯链（CH2CH2O）n在水中产生水合作用，与水分子中的氢形成氢键。温度升高，氢键减弱，有的甚至断裂，水合作用减小，胶束易于形成，胶束的聚集数亦显著地增加，对油脂等污染物的增溶量增大，这种情况有利于硅片的清洗。当温度升高到60℃左右时，聚氧乙烯链（CH2CH2O）n加速脱水并产生卷缩，使胶束起增溶的空间减小，增容能力下降，清洗液由透明变成乳浊液，这一温度称做溶液的浊点温度。只有温度接近表面活性剂溶液的浊点温度时，增溶能力最强，因而清洗液的温度定在60℃比较合理。
产品特点
1、一体式设计，紧凑，操作方便；
2、流动式操作，避免产品刮花；
3、配置过滤系统，有效节约水源；
4、不銹钢网带传输，清洗效果彻底，清洗效率超高；
5、配置油水分离及过滤系统，提供清洗剂的利用率；
6、操作简单，具有手动和自动转换功能；
7、PLC全程式控制，自动连续步进式清洗、乾燥；
适用范围
主要用于半导体材料的清洗，生产加工过程工序间或终端的清洗。
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