做芯片的第一步是搞来硅，纯硅。

被人掐脖子的滋味不好受，而我们向来有不屈不挠的精神。什么？美国限制芯片？那自己干吧。
要制造芯片，第一步是搞来纯硅。
然后做成硅棒，再切成片，把电路印刷上去，安装好插脚。就齐活了。电路设计是别人的事，咱就负责把芯片造出来。
硅在地壳中是第二多的元素，但它是由多种化合物组成，主要有不纯的二氧化硅和硅酸盐(Si+O+另外元素)，在自然中没有单纯的硅元素。制造半导体器件所用的单晶硅是一种人造材料。
提纯过程
如前所述，硅是一种人造材料。在硅的制造过程中必须从硅的化合物中分离出硅，并从分离后的硅中进一步提纯硅。
低品质的二氧化硅首先在电炉里与碳一起加热，通过碳对不纯的二氧化硅进行还原（减少二氧化硅），得到不纯的元素硅。
经过氯化处理后形成一种氯化物，如四氯化硅（SiCl4）或三氯氢硅（SiHCl3），这两种化合物在室温下是液体。事实证明液化过程是行之有效的方法。鉴于固体提纯的困难性，许多提纯的标准工艺都是利用液体来提纯的。
通过多重蒸馏和其他液体提纯之后可得到超纯度的SiCl4或SiHCl3。
最后，用化学方法对高纯度的氯化物进行还原，可以得到所期望的超纯元素硅。例如：SiCl4在氢气氛中加热可生成4HCl+Si，即[SiCl4+2H2 4HCl+Si]。 制成硅锭并确保其是一个绝对的圆柱体之后，下一个步骤就是将这个圆柱体硅锭切片，切片越薄，用料越省，自然可以生产的处理器芯片就更多。切片还要镜面精加工的处理来确保表面绝对光滑，之后检查是否有扭曲或其它问题。这一步的质量检验尤为重要，它直接决定了成品芯片的质量。
新的切片中要掺入一些物质，使之成为真正的半导体材料，然后在其上刻划代表着各种逻辑功能的晶体管电路。掺入的物质原子进入硅原子之间的空隙，彼此之间发生原子力的作用，从而使得硅原料具有半导体的特性。今天的半导体制造多选择CMOS工艺(互补型金属氧化物半导体)。其中互补一词表示半导体中N型MOS管和P型MOS管之间的交互作用。N和P在电子工艺中分别代表负极和正极。多数情况下，切片被掺入化学物质形成P型衬底，在其上刻划的逻辑电路要遵循nMOS电路的特性来设计，这种类型的晶体管空间利用率更高也更加节能。同时在多数情况下，必须尽量限制pMOS型晶体管的出现，因为在制造过程的后期，需要将N型材料植入P型衬底当中，这一过程会导致pMOS管的形成。
在掺入化学物质的工作完成之后，标准的切片就完成了。然后将每一个切片放入高温炉中加热，通过控制加温时间使得切片表面生成一层二氧化硅膜。通过密切监测温度，空气成分和加温时间，该二氧化硅层的厚度是可以控制的。在intel的90纳米制造工艺中，门氧化物的宽度小到了惊人的5个原子厚度。这一层门电路也是晶体管门电路的一部分，晶体管门电路的作用是控制其间电子的流动，通过对门电压的控制，电子的流动被严格控制，而不论输入输出端口电压的大小。准备工作的最后一道工序是在二氧化硅层上覆盖一个感光层。这一层物质用于同一层中的其它控制应用。这层物质在干燥时具有很好的感光效果，而且在光刻蚀过程结束之后，能够通过化学方法将其溶解并除去。