三星电子正式宣布，已经开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片，其关键特性是采用“Toggle DDR 4.0”NAND接口。
与前一代产品达到1.4Gbps的峰值相比，后者使存储和RAM之间的传输速度提高了40%。但随着更好的性能，电压从1.8V降至1.2V。
新的V-NAND还具有最快的数据写入速度，延迟仅为500微秒，这是在写上一代的速度提高了30%，而响应时间读信号已显着降低到50μS(微秒)。
第五代V-NAND芯片的构建与之前的相似，它配备了90层的3D TLC CTF闪存存储单元。它们堆叠成金字塔状结构，中间有微小孔。这些孔用作通道，尺度仅有几百微米宽，包含超过850亿个CTF单元，每个单元存储多达3比特数据，单Die容量达256Gb(32GB)。
三星将迅速扩大其第五代V-NAND生产以满足市场的广泛需求，将应用在如超级计算机、企业服务器和最新的移动应用等高级智能手机方面。
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