三星FinFET工艺被判侵犯专利权，需赔偿4亿美金

三星这两年把半导体代工业务作为重点来抓，今年率先推出了7nm EUV工艺，抢在了台积电、GlobalFoundries及英特尔前面。如今这几家半导体制造公司都要依赖FinFET晶体管工艺，除了英特尔之外，三星是最早进入FinFET工艺的厂商之一，但是他们的FinFET工艺也惹上了麻烦，上周末被美国法院判决侵犯了韩国科学技术院的专利，需要赔偿4亿美元，三星表示不服。

三星与韩国科学技术院（KAIST）在FinFET工艺上的争论由来已久，KAIST在诉讼中表示当时还在KAIST工作的教授Lee Jong-ho在2001年向三星展示过FinFET技术，三星起初对FinFET工艺并不上心，但是后来看到英特尔的FinFET量产之后也加快了FinFET工艺开发，三星使用了Lee Jong-ho教授的FinFET工艺为基础改进FinFET工艺，最终在2011年推出了跟Lee Jong-ho教授研发的FinFET工艺相近的FinFET技术。

KAIST就这样跟三星结下了梁子，2016年KAIST在美国德州的知识产权局起诉了三星，宣称三星的FinFET工艺侵犯了他们的专利权。三星回应称他们是跟KAIST合作开发的FinFET工艺，并质疑后者的FinFET专利有效性，不过陪审团没有认可三星的辩护，最终在上周判决三星侵犯KAIST的FinFET专利权成立，需要赔偿KAIST大概4亿美元。

陪审团认为三星侵权是“故意的”，所以这个4亿美元的赔偿还不是最终的，有可能被重罚到12亿美元。

三星这边对判决表示不服，表示将会考虑所有可能的选择来获得合理的结果，包括上诉。

此外，这起侵权案中还涉及到了高通及GlobalFoundries，他们也被判侵权成立，不过法院没有要求他们赔偿任何损失。