周立功LPC2000分散加载详解

 

周立功的LPC开发板分2100和2200两种，主要区别在于2100不支持外部总线，所以要外扩RAM和FLASH只能用2200的模板。

 

分散加载语法请参照我的另一篇分散加载日志和相关书籍

 

一、影响分散加载文件的主要有以下几个因素：

 

1、从哪儿启动，也就是中断向量表放在哪儿:
该地址需要在ADS的Targets属性->ARMLinker->Option选项卡->image entrypoint中手动设置

1.内部Flash：
最常用的位置，地址0x00000000，需要把存储器映射控制寄存器(MEMMAP–0xE01FC040)最低两位设置为0x01，该寄存器在Target.c文件中设置。

2.内部RAM：
最常用的调试位置，地址0x40000000，需要把存储器映射控制寄存器(MEMMAP–0xE01FC040)最低两位设置为0x10

3.外部存储器：
若要存放中断向量表，不管是外部RAM还是Flash，都只能接在Bank0上，地址0x80000000，需要把存储器映射控制寄存器(MEMMAP–0xE01FC040)最低两位设置为0x11。另外依据外部寄存器位宽，需要在硬件上把BOOT[1,0](P2.26-2.27)配置为 00：8位，01：16位，10：32位，11：从内部Flash启动

 

2、堆栈放在哪儿：
人们老把堆栈连用，其实堆和栈是两个概念。周立功的启动代码使用了ADS的堆栈管理功能。
ADS的堆栈管理功能分两种：

一段式：堆和栈在同一片地址空间相向生长,需要在启动代码中加上：

EXPORT __user_initial_stackheap
要求定义：
    堆底：
    EXPORTbottom_of_heap
    栈顶：
    EXPORTStackUsr

__user_initial_stackheap   
   LDR   r0,=bottom_of_heap
;   LDR   r1,=StackUsr
   MOV   pc,lr

二段式：堆和栈在不同的空间，需要在启动代码中加上：
IMPORT __use_two_region_memory
EXPORT __user_initial_stackheap
要求定义：
    堆底：
    EXPORTbottom_of_heap
    栈底：
    EXPORTbottom_of_Stacks
    堆顶：
    EXPORTtop_of_heap
    栈顶：
    EXPORTStackUsr

__user_initial_stackheap   
   LDR   r0,=bottom_of_heap
;   LDR   r1,=StackUsr
   LDR   r2,=top_of_heap
   LDR   r3,=bottom_of_Stacks
   MOV   pc,lr

以上用到的这些bottom_of_heap、bottom_of_Stacks、top_of_heap、StackUsr都需要在分散加载文件中给出地址

二、举例说明：

一段式：
ROM_LOAD 0x0
{
   ;启动程序的向量表和只读变量加载地址：1.内部Flash：0x00000000，2.内部RAM：0x40000000，3.外部存储器：地址0x80000000
    ROM_EXEC0x00000000
    {
       Startup.o (vectors, +First)
       * (+RO)
    }
   
   ;用户栈和启动程序的可读写变量，这个一般放在内部RAM，比较快
    IRAM0x40000000
    {
       Startup.o (MyStacks)
       * (+RW,+ZI)
    }

    ;堆底
   ;1.内部RAM，接着上面存放
    HEAP +0UNINIT
    {
       Startup.o (Heap)
    }
   ;16K内部RAM结束地址：0x40003FFF,计算方法:2的10次方=1K：0x400，16k=0x4000
    STACKS0x40004000 UNINIT
    {
       Startup.o (Stacks)
    }

   ;2.外部RAM，该地址取决于外部RAM挂在哪个Bank上，一般为Bank0，起始地址：0x80000000，
   ;如果芯片内部没有Flash(例如：2220)需要从外部Flash启动，则外部RAM一般挂在Bank1，起始地址：0x81000000
    HEAP0x80000000 UNINIT
    {
       Startup.o (Heap)
    }
   ;8M外部RAM结束地址：0x807FFFFF，计算方法2：2的20次方=1M：0x100000，8M=0x800000
    STACKS0x80004000 UNINIT
    {
       Startup.o (Stacks)
    }
}

二段式：
ROM_LOAD 0x00000000
{
   ;启动程序的向量表和只读变量加载地址：1.内部Flash：0x00000000，2.内部RAM：0x40000000，3.外部存储器：地址0x80000000
    ROM_EXEC0x00000000
    {
       Startup.o (vectors, +First)
       * (+RO)
    }
   
   ;用户栈和启动程序的可读写变量，这个一般放在内部RAM，比较快
    IRAM0x40000000
    {
       Startup.o (MyStacks)
       * (+RW,+ZI)
    }

   ;1.栈放在内部RAM，接着上面存放
   STACKS_BOTTOM +0 UNINIT
    {
       Startup.o (StackBottom)
    }
   ;16K内部RAM结束地址：0x40003FFF,计算方法:2的10次方=1K：0x400，16k=0x4000
    STACKS0x40004000 UNINIT
    {
       Startup.o (Stacks)
    }
   ;堆放在外部RAM，该地址取决于外部RAM挂在哪个Bank上，一般为Bank0，起始地址：0x80000000，
    HEAP0x80000000 UNINIT
    {
       Startup.o (Heap)
    }
   ;8M外部RAM结束地址：0x807FFFFF，计算方法2：2的20次方=1M：0x100000，8M=0x800000
    HEAP_BOTTOM0x80800000 UNINIT
    {
       Startup.o (HeapTop)
    }

   ;2.堆放在内部RAM
    HEAP +0UNINIT
    {
       Startup.o (Heap)
    }
   ;16K内部RAM结束地址：0x40003FFF,计算方法:2的10次方=1K：0x400，16k=0x4000
    HEAP_BOTTOM0x40004000 UNINIT
    {
       Startup.o (HeapTop)
    }
   ;栈放在外部RAM，该地址取决于外部RAM挂在哪个Bank上，一般为Bank0，起始地址：0x80000000，
   STACKS_BOTTOM 0x80000000 UNINIT
    {
       Startup.o (StackBottom)
    }
   ;8M外部RAM结束地址：0x807FFFFF，计算方法2：2的20次方=1M：0x100000，8M=0x800000
    STACKS0x80800000 UNINIT
    {
       Startup.o (Stacks)
    }
}