FEI Scios 2 DualBeam技术指标FIB

聚焦离子束显微镜FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技术指标

一、技术指标

1、电子束电流范围：1 pA - 400 nA；

2、电子束电压：200eV-30 keV，具有减速模式

3、电子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV)

4、大束流Sidewinder离子镜筒；

5、离子束加速电压500V-30kV（分辨率：3.0 nm）；

6、离子束束流1.5pA-65nA，15孔光阑。

二、配置情况

1、GIS气体注入：Pt沉积

2、ETD SE、T1（筒内低位）、T（高位）探头

3、Nav-camTM：样品室内光学导航相机

4、AutoTEM4、Autoslice、Map for3D自动拼图、NanoBuilder纳米加工软件。

三、适用样品

半导体、金属、陶瓷材料微纳加工及观察分析，成分分析

四、检测内容

1、IC芯片电路修改

2、Cross-Section 截面分析

3、Probing Pad

4、FIB微纳加工

5、材料鉴定

6、EDX成分分析

五、设备简介

FEI Scios 2 DualBeam系统在Scios系统的基础上进行了升级，更加适用于金属、复合材料和涂层，特点是适用磁性样品、借助漂移抑制对不导电的样品可以进行操作、Trinity检测套件可同步检测材料、形态和边缘对比对度，大大提高效率、软件可以实现三维数据立方体分析金属中夹杂物大小和分布、独有的工作流模式，可以设定程序，降低操作员的难度。在超大样品仓中集成了大尺寸的五轴电动样品台，XY轴具有110mm移动范围，Z方向具有85mm升降空间。