《先进3D NAND存储器对比分析

Leading-edge 3D NAND Memory Comparison 2018

——逆向分析报告

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麦姆斯咨询

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先进3D NAND存储器芯片的深度技术分析和成本对比报告

据麦姆斯咨询介绍，不断增长的消费电子和数据中心市场正在加速对更高容量、更可靠的储存器需求。这使得2016至2018年期间，存储器产业的营收从770亿美元增长到1770亿美元。

3D NAND闪存制造商发现：既要满足上述市场对更高存储容量和可靠性的需求，同时还要降低每比特（bit）成本，是一项不小的挑战。每家制造商实施不同的技术手段，改变存储类型和存储单元设计，并在每一代产品中堆叠更多层，以增加比特密度，减小芯片尺寸。存储单元架构的技术变化和基本存储器特征的改变，增加了制造工艺的复杂性。然而，这些技术确实降低了每千兆字节的成本。

本报告展示了目前市场上四家存储器制造商的最新一代3D NAND闪存的技术和成本分析。这些存储器产品来自东芝（Toshiba）/闪迪（SanDisk）、三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）和英特尔（Intel）/美光（Micron）。我们的分析基于对3D NAND闪存拆解与制造工艺分析，揭示了制造商采用的技术。此外，本报告还明确了供应链中的其它参与者。所以，我们根据上述信息可以预估内存晶圆和裸片的成本。

本报告研究的主要厂商及其3D NAND存储器产品（样刊模糊化）

本报告对最新3D NAND裸片进行研究，包括对芯片横截面和制造工艺的深度剖析，详细介绍了物理结构，突出了存储单元设计和存储类型。同时，我们将存储器结构与相关的专利进行匹配。

3D NAND存储器芯片逆向分析图示

最后，本报告对所研究的3D NAND存储器进行了详尽的对比分析，以突出了它们之间相似点、不同点和对成本的影响。

先进3D NAND存储器芯片对比分析（样刊模糊化）

先进3D NAND存储器物理分析（样刊模糊化）

先进3D NAND存储器芯片成本对比分析（样刊模糊化）

报告目录：

Overview/Introduction

· Executive Summary

· Reverse Costing Methodology

· Analysed Device Comparison

Company Profile

· Toshiba/SanDisk/Samsung/SK Hynix/Intel/Micron

Technology and Market

· NAND Roadmap

· NAND Revenue

Physical Analysis

· Toshiba/SanDisk

- Overview

- Die design

- Cross-section

- Patents

· Samsung

- Overview

- Die design

- Cross-section

- Patents

· SK Hynix

- Overview

- Die design

- Cross-section

- Patents

· Micron/Intel

- Overview

- Die design

- Cross-section

- Patents

Manufacturing Process Flow

· Overview

· Wafer Fabrication Unit

· Front-End Process

Cost Analysis

· Summary of the Cost Analysis

· Yield Explanations and Hypotheses

· 3D NAND Wafer and Die Cost

- Wafer front-end cost

- Die cost

- Component cost

Estimated Price Analysis

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