IR-Obirch的全名为InfraRed Optical Beam Induced Resistance Change,顾名思义为雷射光束引生的电阻变化异常检验,其原理是利用波长为1340nm的雷射扫描IC,造成扫描点被局部加温的作用,在给予一个直流定电压的情况下,任何材质或操作的元件皆会因温度变化而产生阻值变化,因此电流也产生变化,Obirch便可借着侦测电流变化定出IC可能的故障位置,即阻值变化较大者,如再附加lock-in的功能,更可有效降低杂讯,使讯号更为突显。此项技术可从晶片正面与背面施作,能缩短找出阻值异常问题的时间,并且经由更换高电流的针座,可进一步分析高电流及电压的元件。
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