自1930年提出反钙钛矿结构以来,反钙钛矿结构已经有了长足的发展。特别是Mn3AN因为其独特的性能而受到关注。这些特性使Mn3AN成为一种潜在的材料体系,可应用于多种电子器件。Mn3AN具有非常稳定的八面体单元,其中六个锰(Mn)原子与细胞中心的氮(N)原子结合,但单元拐角的金属原子结合松散。这一事实允许在立方体角引入各种金属原子,从而导致材料的电子和磁学性能的显著变化。虽然到目前为止,Mn基反钙钛矿结构已经取得了一些优异的结果,但样品的制备只能通过固态烧结技术实现,即将一定量的Mn与其他掺杂元素在密封的氮气环境中,温度在700-800℃左右烧结。虽然这种方法可以产生高质量的晶体,但高温会导致氮分离,导致生产难以控制。另一方面,也有一些尝试以薄膜形式研究锰基反钙钛矿结构,如Mn3CuN和Mn3NiN,但没有含Ag或Cu等第三元素部分取代的报道。英国诺森比亚大学的研究人员首次成功地尝试将Cu部分替代到Mn3AN-反钙钛矿体系中,形成具有超低温电阻系数(TCR)的Mn3Ag(1-x)Cu(x)N薄膜,并对薄膜性能进行分析研究。相关论文以题为“Mn3Ag(1-x)Cu(x)N antiperovskite thin films with ultra-low temperature coefficient of resistance”发表在Journal of Materials Science & Technology。 论文链接:https://doi.org/10.1016/j.jmst.2021.05.039