三星公布内存储存路线图 预计DDR6将突破10Gbps速度

三星正在举办全球巡回的Samsung Foundry Forum 2022活动，在德国的活动当中三星详细介绍了未来内存业务和储存业务的详细路线图。

如上图所示，在即将到来的2023年，三星将进入1bnm工艺阶段，内存芯片容量将达到24Gb（3GB）-32Gb（4GB），原生速度将达到6.4-7.2Gbps。显存方面，新一代GDDR7显存将在明年问世，因此AMD和英伟达显卡的新一代显卡的中期改款就有可能会用上GDDR7显存。此外，三星还进行了一些长远的设想，如在2026年推出DDR6内存，2027年即实现原生10Gbps的速度。

三星也公布了其闪存的路线图，其第九代V-NAND正在开发中，计划于2024年量产。到2030年，三星设想NAND堆叠超1000层，以更好地支持未来的数据密集型技术。三星还宣布，全球最高容量的1Tb TLC V-NAND将于今年年底向客户提供。

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