随着现代数字电子系统突破1 GHz的壁垒，PCB板级设计和IC封装设计必须都要考虑到信号完整性和电气性能问题。凡是介入物理设计的人都可能会影响产品的性能。所有的设计师都应该了解设计如何影响信号完整性，至少能够和信号完整性专业的工程师进行技术上的沟通。当快速地得到粗略的结果比以后得到精确的结果更重要时，我们就使用经验法则。
经验法则只是一种大概的近似估算，它的设计目的是以最小的工作量，以知觉为基础找到一个快速的答案。经验法则是估算的出发点，它可以帮助我们区分5或50，而且它能帮助我们在设计的早期阶段就对设计有较好的整体规划。
下面是具有40年研究经验的国际大师Eric BogaTIn给出的100条估计信号完整性效应的经验法则。
1、信号上升时间约是时钟周期的10%，即1/10x1/Fclock。例如100MHZ 使中的上升时间大约是1NS.
2、理想方波的N 次谐波的振幅约是时钟电压副值的2/（N 派）倍。例如，1V时钟信号的第一次谐波幅度约为0.6V，第三次谐波的幅度约是0.2V。
3、信号的带宽和上升时间的关系为：BW=0.35/RT。例如，如果上升时间是1NS，则带宽是350MHZ。如果互连线的带宽是3GHZ，则它可传输的最短上升时间约为0.1NS。
4、如果不知道上升时间，可以认为信号带宽约是时钟频率的5 倍。
5、LC 电路的谐振频率是5GHZ/sqrt（LC），L 的单位为NH，C 的单位为PF。
6、在400MHZ 内，轴向引脚电阻可以看作理想电阻;在2GHZ 内，SMT0603电阻可看作理想电阻。
7、轴向引脚电阻的ESL（引脚电阻）约为8NH，SMT 电阻的ESL 约是1.5NH。
8、直径为1MIL 的近键合线的单位长度电阻约是1 欧姆/IN。
9、24AWG 线的直径约是20MIL，电阻率约为25 毫欧姆/FT。
10、 1 盎司桶线条的方块电阻率约是每方块0.5 豪欧姆。
11、 在10MHZ 时，1 盎司铜线条就开始具有趋肤效应。
12、 直径为1IN 球面的电容约是2PF。
13、 硬币般大小的一对平行板，板间填充空气时，他们间的电容约为1PF。
14、 当电容器量板间的距离与板子的宽度相当时，则边缘产生的电容与平行板形成的产生的电容相等。例如，在估算线宽为10MIL、介质厚度为10MIL的微带线的平行板电容时，其估算值为1PF/IN，但实际的电容约是上述的两倍，也就是2PF/IN。
15、 如果问对材料特性一无所知，只知道它是有机绝缘体，则认为它的介电
常数约为4。
16、 1 片功率为1W 的芯片，去耦电容（F）可以提供电荷使电压降小于小于
5%的时间（S）是C/2。
17、 在典型电路板钟，当介质厚度为10MIL 时，电源和地平面间的耦合电容
是100PF/IN 平方，并且它与介质厚度成反比。
18、 如果50 欧姆微带线的体介电常数为4，则它的有效介电常数为3。
19、 直径为1MIL 的圆导线的局部电感约是25NH/IN 或1NH/MM。
20、 由10MIL 厚的线条做成直径为1IN 的一个圆环线圈，它的大小相当于拇
指和食指围在一起，其回路电感约为85NH。
21、 直径为1IN 的圆环的单位长度电感约是25NH/IN 或1NH/MM。例如，如
果封装引线是环形线的一部分，且长为0.5IN，则它的电感约是12NH。
22、 当一对圆杆的中心距离小于它们各自长度的10%时，局部互感约是各自
的局部互感的50%。
23、 当一对圆杆中心距与它们的自身长度相当时，它们之间的局部互感比它
们各自的局部互感的10%还要少。
24、 SMT 电容（包括表面布线、过孔以及电容自身）的回路电感大概为2NH，
要将此数值降至1NH 以下还需要许多工作。
25、 平面对上单位面积的回路电感是33PHx 介质厚度（MIL）。
26、 过孔的直径越大，它的扩散电感就越低。一个直径为25MIL 过孔的扩散电感约为50PH。
27、 如果有一个出沙孔区域，当空闲面积占到50%时，将会使平面对间的回路电感增加25%。
28、 铜的趋肤深度与频率的平方跟成反比。1GHZ 时，其为2UM。所以，10MHZ 时，铜的趋肤是20UM。
29、 在50 欧姆的1 盎司铜传输线中，当频率约高于50MHZ 时，单位长度回路电感为一常数。这说明在频率高于50MHZ 时，特性阻抗时一常数。
30、 铜中电子的速度极慢，相当于蚂蚁的速度，也就是1CM/S。
31、 信号在空气中的速度约是12IN/NS。大多数聚合材料中的信号速度约为6IN/NS。
32、 大多数辗压材料中，线延迟1/V 约是170PS/IN。
33、 信号的空间延伸等于上升时间X 速度，即RTx6IN/NS。
34、 传输线的特性阻抗与单位长度电容成反比。
35、 FR4 中，所有50 欧姆传输线的单位长度电容约为3.3PF/IN。
36、 FR4 中，所有50 欧姆传输线的单位长度电感约为8.3NH/IN。
37、 对于FR4 中的50 欧姆微带线，其介质厚度约是线宽的一半。
38、 对于FR4 中的50 欧姆带状线，其平面间的间隔时信号线线宽的2 倍。
39、 在远小于信号的返回时间之内，传输线的阻抗就是特性阻抗。例如，当驱动一段3IN 长的50 欧姆传输线时，所有上升时间短与1NS 的驱动源在沿线传输并发生上升跳变时间内感受到的就是50 欧姆恒定负载。
40、 一段传输线的总电容和时延的关系为C=TD/Z0。
41、 一段传输线的总回路电感和时延的关系为L=TDxZ0。
42、 如果50 欧姆微带线中的返回路径宽度与信号线宽相等，则其特性阻抗比返回路径无限宽时的特性阻抗高20%。
43、 如果50 欧姆微带线中的返回路径宽度至少时信号线宽的3 倍，则其特性阻抗与返回路径无限宽时的特性阻抗的偏差小于1%。
44、 布线的厚度可以影响特性阻抗，厚度增加1MIL，阻抗就减少2 欧姆。
45、 微带线定部的阻焊厚度会使特性阻抗减小，厚度增加1MIL，阻抗减少2欧姆。
46、 为了得到精确的集总电路近似，在每个上升时间的空间延伸里至少需要有3.5 个LC 节。
47、 单节LC 模型的带宽是0.1/TD。
48、 如果传输线时延比信号上升时间的20%短，就不需要对传输线进行端接。
49、 在50 欧姆系统中，5 欧姆的阻抗变化引起的反射系数是5%。
50、 保持所有的突变（IN）尽量短于上升时间（NS）的量值。
（未完待续......）
物联网、5G、射频技术及高速数字传输的兴起，为半导体开创了新的商机，也给芯片IC设计、高速信号链路带来了诸多挑战。新技术应用体现在对IC芯片设计的更高要求上，目前，IC芯片设计兼具了小尺寸、低功耗和低成本等诸多技术优势，也需要在原有Soc上集成感测、处理、通信等一系列更多的实际应用能力，整合度更高也必然使IC设计厂商面临电路仿真验证等方面的严峻挑战。同样，高速接口（DDR,HDMI,MIPI,PCIE…)应用也越来越多，信号和电源完整性的影响越来越大，设计师必须考虑Die/PKG/PCB对于整个链路的影响。
为了帮助大家能够更好地学习高速信号仿真设计，芯片IC设计封装及验证，编者整理一份高速信号仿真芯片IC设计资料，共包含26份技术讲解视频内容，以及课程PPT讲义资料给大家学习参考。
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