日本要用半导体“纳米压印”技术逆袭

关于绘制尖端半导体的电路不可或缺的“光刻技术”，日本企业出现了实现逆袭的希望。铠侠 (KIOXIA）、佳能和大日本印刷最早将在2025年使如同盖章一样形成电路的“纳米压印”实现实用化。通过省去一部分工序，预计使设备投资最多减少数百亿日元，相关工序的制造成本最多减少4成。在光刻领域不断被夺走份额的日本企业有望重新提升存在感。一方面，纳米压印则是将形成三维结构的掩膜压在晶圆上被称为液体树脂的感光材料上，同时照射光线，一次性完成结构的转印。这种方式还容易应对使存储元件立体堆叠的复杂结构、用于数据存储的NAND闪存等。现阶段支持的线宽为15纳米（纳米为10亿分之1米），但3家企业力争今后进一步推进微细化。