在本专辑第2篇文章的弥勒平台中,谈到了MOSFET的开启与关闭过程就是对其中的电荷进行充电和放电的过程,电荷量的多少直接影响了MOSFET开关速度。电容的值一般会取决于测量时所设置的电压和频率,所以相对于电荷来讲,电容的值就显得没有那么重要。但估计是为了辅助设计,很多供应商还是列出了电容的信息,如下图:Ciss(输入电容):栅极与其他两个端子(漏极和源极)之间的电容。
Coss(输出电容):漏极与其他两个端子(栅极和源极)之间的电容。
Crss(反向传输电容):漏极和源极间的电容。
那么对于MOSFET的等效模型,就会有下面的等式成立:
Ciss=Cgd+Cgs,Coss=Cgd+Cds,Crss=Cds
值得注意的是,虽然很多供应商都规定了电容值的测试频率为1MHz,但其他的测试条件却不尽相同,在元件选择横向比较时比较困难。值得庆幸的是,供应商同时也会给出电容曲线,如下图:根据公式电容C=电荷Q/电压V, 随着电压的增大,电容值响应地有所下降。综上所述,在真正的设计过程中会利用电荷量来计算评估开关时间,而不会用Ciss,Coss和Crss。这些电容信息只是可利用的不同MOSFET横向比较的参数。以上的内容希望对大家有所帮助,也希望大家给予反馈和指正,关注转发,互相交流,共同进步!
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