7月11日和7月18-19日,美国国防先期研究计划局(DARPA)将为“电子复苏”(ERI)计划举办两次讨论会,进入实质的讨论阶段,并为9月开始的提案征集预热。
ERI计划旨在为半导体产业在后摩尔时代找寻新材料、架构和设计自动化,共同满足足军事和技术产业需求。DARPA在其ERI网页上写到,研究内容包括“新材料和功能块的集成、自动设计、大功能块和架构的复用”。关于ERI计划的更多信息,请移步6月5日公号推送文章《美国国防部和半导体产业联盟启动“电子复苏”新计划,将比肩改变世界的“晶体管”的诞生,开启电子元器件发展新纪元》。
在2018年国防预算中,ERI计划预算为7500万,并希望带动大量商业投资,使项目总投入超过2亿美元。尽管该计划资金投入的绝对数量是巨大的,但与该项目的雄心比起来则很渺小,因为其目标是加速在后摩尔定律领域的研究。
DARPA微系统技术办公司主任、ERI计划牵头人Bill Chappell表示:“目前没有产业界应负担成本比例的特殊要求,但应与公司的商业业务的价值相匹配……我们认为1:1的成本负担是合理的。”
7月11日,DARPA将在DARPA所在地阿林顿召开峰会,仅限65名来自国防合同商的高管参加,这些高管将展现作为项目提案一部分的新技术。
7月18-19日,DARPA将在圣何塞召开为期两天的工作会,目标是聚集产业链各界就研发和投资的愿景、目标和标准进行讨论。
在两个活动上,DARPA和产业界合作者将共享项目的大纲和如何撰写提案的细节。该活动也是寻找合作者的机会。而且,在圣何塞的活动中,参与者将能够给DARPA的管理者做一个5分钟的提案概述。
在活动的邀请函上,DARPA对于ERI计划的三个聚焦领域——材料、结构和设计自动化给予更多信息。ERI也将有效汇聚DARPA现正在开展的项目。
在材料领域,ERI将研究周期表中除硅以外的其他元素,要求能够实现超低功耗存储器或合并的逻辑和存储块;还将研究能够开启光电计算、模拟电路、无源器件、光电子和非易失性存储器等新领域的材料。这部分工作将聚集的现有项目包括,为雷达芯片探索混合集成工艺的DAHI项目,为系统级芯片(SoC)定义新模块IP的CHIPS项目。DARPA列举3D交叉阵列、存储器网络和碳纳米管计算机作为预期项目的例子。
在芯片架构领域,ERI将探索一系列全新方向,如通过智能编译器能够在应用中重新配置的系统,也包含多个应对摩尔定律放缓而出现的特定域架构,如DARPA HIVE项目中有关图像处理器的发展设想。
在设计自动化领域,研究人员指出“随着晶体管器件尺寸的减少,芯片物理设计的复杂性已经显著增加,需要引入大规模、高度专业的设计团队,以及昂贵的EDA工具和36个月的设计周期”。ERI将寻求替代物,如机器学习设计和验证工具,实现集成电路、封装和电路板物理层设计的非人工决策。如DARPA在2016年启动的项目,支持以少于100万美元的价格设计使用出使用16nm工艺包含45亿晶体管的芯片。企业家和微处理器设计者Andreas Olofsson领导该项目,目前也在ERI计划中负责管理设计工具方向。
根据国防部2018财年的预算,尽管国防部在ERI上投入大量资金,支持半导体长期研究,但同时也削减了其他机构的资金预算,包括国家科学基金会(NSF)、国家标准和技术研究所(NIST)、能源部科学办公司等,进而影响到这些机构中项目的开展。以NIST为例,资金预算中不再包括对半导体研究联盟(SRC)“纳米电子计算研究”(nCORE)项目的资金支持,该项目提供资金对多个新兴材料和器件进行研究以改进能效、性能和实现全新功能。
半导体产业联盟(SIA)正在与政府和国会共同努力来生效一个预算,能够使对美国经济、国家安全和技术领先地位具有战略重要意义的研究投资获得优先支持。
DARPA将在9月份开展对提案和投资的征集工作。每一个获准的项目将有其自己的进度安排和可交付物。
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