项目|英国CST Global将领导创新英国的DiLaN项目，研发纳米压印制造工艺提供分布式反馈激光器的线速，并将成本降低1/3

英国Ⅲ-Ⅴ族材料光电器件制造商——全球化合物半导体技术公司（CST Global）表示其正领导开展政府出资的“使用纳米压印光刻技术的二极管激光器制造工艺”（DiLaN）项目，目标是制造高速分布式反馈（DFB）激光器，能够比现有DFB激光器显著增加宽带线速，同时因使用新的制造工艺可将激光器的制造成本降低1/3。

研发需求

CST Global的工程主任Andrew Mckee表示：“带来光纤到户（FTTP）市场所需宽带通信大量增长有两个主要驱动因素。首先是对单模半导体激光器解决方案需求的快速增加，目前每年超过1亿个新单元的需求。第二个是使用现有无源光网络（PON）技术激光器数据速率的能力大约在1.25-5Gb/s，不足以满足下一代网络不断增加的带宽需求。”

研究内容

DiLaN项目正在寻求商业可实现的纳米压印光刻制造工艺，并用于大容量DFB激光器的制造。使速率增加至25Gbps，而每个激光器节省的成本则将高达30%。McKee继续补充道。“纳米压印技术已被广泛认可为以低成本进行制造的最可靠方法。该激光器同样工作在1310-1550波长范围，这为下一代网络所需的不断增加的线速提供支持。”

参研单位

CST Global是项目领导者，合作者包括学术伙伴——卡迪夫大学和斯旺西&西威尔士大学，以及商业伙伴化合物——半导体中心有限公司（Compound Semiconductor Centre Limited）。

资金支持

项目从2017年2月开始，到2019年年1月结束，总资金82.1319万英镑，CST Global收到26.8094万英镑。资金支持机构是创新英国（Innovate UK）——英国支持工程和物理科学研究的资金机构。