碳化硅|美国美高森美公司推出新型SiC MOSFET和肖特基势垒二极管，面向工业、汽车和航空航天市场

日前，美国美高森美（Microsemi）公司公布其下一代1200V SiC MOSFET系列的第一款产品，即40mΩ的MSC040SMA120B，该公司还发布来1200 V SiC肖特基势垒二极管（SBD），进一步扩大其SiC分立器件和模块产品家族。

新产品性能

新的SiC MOSFET产品系列具有高雪崩特性，在工业、汽车和民用航空领域的电源应用方面具有很好的耐用性。该系列的其它产品将在未来几个月内陆续发布，包括符合商业和AEC-Q101标准的700 V和1200 V SiC MOSFET，结合Microsemi新发布的SiC SBD，这些解决方案能够满足各种电源应用的需求。

Microsemi副总裁兼功率分立和模块业务经理Leon Gross说：“我们的新型SiC MOSFET产品系列为客户提供了更高效的开关和高可靠性的优势，特别是与硅二极管，硅MOSFET和IGBT解决方案相比”。

Microsemi的下一代SiC MOSFET和新型SiC SBD在额定电流下具有高重复性的非钳位电感性开关（UIS）能力，无任何退化或故障。新型碳化硅MOSFET在约10-15焦耳每平方厘米（J / cm²）的情况下保持较高的UIS能力，短路保护时间达到3-5微秒。

为实现低开关损耗，该公司的SiC SBD在低反向电流下具有折衷的浪涌电流、正向电压、热阻和热容额定值。另外，其SiC MOSFET和SiC SBD芯片可以在模块电路中配对使用。

应用领域

Microsemi的新型SiC MOSFET和SBD广泛适用于工业和汽车市场，其SiC MOSFET也可用于医疗、航空航天、国防和数据中心市场中的开关模式电源和电机控制应用。例如，混合动力电动汽车（HEV）/电动车充电、导电/电感式车载充电（OBC）、DC-DC转换器、EV动力系统/牵引力控制、开关模式电源、光伏（PV）逆变器、电机控制和航空航天驱动。

市场前景

据研究和咨询公司IndustryARC称，由于受电力电子应用的增长驱动，为增强功率转换效率和降低功率损耗，SiC器件等宽带隙半导体技术可能从开发阶段转向商业阶段。

电力转换的进步为基于SiC的电动汽车充电设备铺平了道路，这有助于减少电池充电周期并降低电池组的高成本。IndustryARC预计，在电动汽车充电市场领域，SiC器件市场将在2024年前保持约33％的增长率。

Microsemi表示，随着这些趋势的发展，其SiC MOSFET的额定失效时间（FIT）比同类Si IGBT在额定电压方面的中子敏感度要低10倍。其SiC碳化硅SBD补充了其碳化硅MOSFET的稳健性，其UIS评级比市面其它产品高出20％。