忆阻器|英国投入110万英镑启动忆阻器研发项目，期待为下一代电子系统带来变革

近日，英国政府投入110万英镑启动忆阻器研发项目，英国帝国理工学院、南安普顿大学和曼彻斯特大学将和产业界共同研发忆阻器，以期替换传统电子电路中的晶体管，带来电子产业的变革。

需求背景

当前，集成电路都由大量晶体管（电子开关）组成，如智能手机中的信息处理芯片包含平均50亿个晶体管。在不断提升性能需求的要求下，晶体管的尺寸持续减小，但现已达到物理极限。此外，来自南安普顿大学的项目负责人Themis Prodromakis教授写到：“多年来，我们已经遵循了计算机中处理器和存储器单元相互独立的模式，但该模式已经难以应对公共领域大量数据的处理需求。”

Themis Prodromakis

忆阻器优势

忆阻器是一种具有记忆功能的线性电阻，可依据所施加电压脉冲值的不同呈现不同阻值，并一直保持该阻值直至施加另一个外加电压脉冲，以此进行信息的非易失性存储。由于保持阻值的过程无需消耗任何能量，运行功耗极低。此外，忆阻器可进行逻辑运算，将数据处理和存储功能合二为一；还具有比晶体管更小的体积和更高的集成度，很好地满足了未来低功耗电子信息系统的使用需求。

Themis Prodromakis教授表示：“忆阻器技术为下一代芯片带来了巨大的前景，这些芯片需要高度可重构、可微缩和高能效、安全和成本可负担等特性。”

研究基础

南安普顿大学在此前的研究中已展示了存储器技术，每个开关能够存储多达128个可辨识的存储器状态，几乎是此前报道的四倍。

研究内容

项目将聚焦于忆阻器核心技术及所需工具的研究，以展现该技术在实际工作服务和产品中的益处。该存储器芯片基于瞬变金属氧化物，使电子系统具备更强的能力。通过该项目，研究人员将实现可嵌入至物理世界中几乎各种应用中的可重置电子系统，如车辆和基础设施，甚至是在人体内，以此屹立于先进技术的前沿。

资金支持

该项目由工程和物理科学研究委员会（EPSRC）提供资金支持。