美国维易科(Veeco)精密仪器有限公司宣布,美国安森美半导体(ON Semiconductor)公司已下令推进其高容量制造(HVM)氮化镓(GaN)金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统的制造进程。
推进GaN MOCVD系统的设计制造旨在用于数据中心的高压电源管理设备,汽车、信息和通信技术,国防、航空航天和配电系统以及其他应用。
安森美半导体公司研发与开放式创新高级总监Marnix Tack表示:“我们之前使用Veeco的K465i GaN MOCVD系统学习,促使我们调查了Propel HVM平台的产品线。测试结果表明,器件性能出色,具有高均匀性,晶圆内和晶圆到晶圆的可重复性,同时满足我们对6英寸和8英寸晶圆的成本目标。因此,Propel HVM系统被证明是我们电力电子制造需求的最合适的平台。
Propel HVM平台基于Veeco创新的单晶圆系统,采用专有的IsoFlange和SymmHeat技术,可在整个晶圆上提供均匀的层流和均匀的温度分布。该系统能够生产功率电子器件,激光二极管,射频器件和先进的LED,同时确保较低的成本,以及具有更高的性能和生产良率。
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