氮化镓|Qorvo宣布推出用于雷达的X波段GaN前端模块

RF公司Qorvo推出了两款非常紧凑、高性能的X波段前端模块（FEM），设计用于下一代有源电子扫描阵列（AESA）雷达。

这些符合出口标准的GaN产品还能满足对关键任务操作至关重要的高射频生存能力需求。

预计到2022年，雷达应用的射频前端组件需求将超过10亿美元，未来五年复合年增长率将达到9％。由于GaN的采用率大大超过其他工艺技术，预计未来五年内用于国防应用（如雷达、电子战和通信）的射频氮化镓器件市场将以每年24％的复合年增长率增长。

新Qorvo FEMs - QPM2637和QPM1002 器件基于该公司创新的氮化镓技术，该技术可实现更高的效率、可靠性、功率和可生存性，并节省尺寸、重量和成本。

GaN FEM在单个紧凑封装中提供四种功能，包括RF开关、功率放大器、低噪声放大器和限幅器。与典型的GaAs低噪声放大器相比，它们可以在接收端承受高达4W的输入功率，而不会造成永久性损坏，而GaAs低噪声放大器的输入功率可能会低于100mW。

Qorvo高性能解决方案总经理Roger Hall表示：“Qorvo经过现场验证的GaN技术使我们的客户能够解决与AESA雷达系统设计相关的许多挑战，包括更高的功率输出和可靠性。我们新推出的符合出口要求的氮化镓模块增强了我们一体化四个部件的最高集成度的能力，因此客户可以为关键任务雷达系统选择最小、性能最高的FEM。”