SiC|东京大学和三菱电机展示了提高SiC可靠性的新方法

东京大学和三菱电机公司宣布已开发出其认为提高碳化硅（SiC）功率半导体器件可靠性的全新机制。研究人员最初于12月3日在加利福尼亚州旧金山举行的国际电子设备会议（IEDM2018）上报告了这一成果。

研究成果

截至目前，电气工程师已假定与传统的磷或氮相比，硫不是在SiC功率半导体中为电流传导提供电子的合适元素。然而，三菱电机和东京大学研究了硫捕获电子的能力，表示这种能力有助于使SiC器件不易因电磁噪声而发生故障。

在他们的研究中，三菱电机设计并制造了SiC功率半导体器件并分析了电流路径中硫的电子捕获，东京大学测量了电子散射。研究人员通过证明栅极氧化物和SiC界面下的硫捕获了器件电流路径中的一些电子，从而增加了阈值电压而不改变器件的导通电阻，从而实现了新机制。

下一步工作

预计该方法将带来更可靠的电力电子设备，提供更好的电磁噪声容限。未来，三菱电机打算继续完善SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的设计和规范，以进一步提高SiC功率半导体器件的可靠性。