PCB 光刻胶、显示面板光刻胶、半导体光刻胶及其他光刻胶
光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。依据使用场景，这里的待加工基片可以是集成电路材料，显示面板材料或者印刷电路板。
光刻胶按应用领域分类，可分为 PCB 光刻胶、显示面板光刻胶、半导体光刻胶及其他光刻胶。
全球市场上不同种类光刻胶的市场结构较为均衡，具体占比可以如下图所示。
目前，中国本土光刻胶以PCB用光刻胶为主，平板显示、半导体用光刻胶供应量占比极低。中国本土光刻胶企业生产结构可以如图所示。
中国本土光刻胶企业生产结构
厚胶 Thick ResistSU-8 GM10xx系列g/h/i-Line负性0.1um0.1-200具有较大的高宽比，透明度高，垂直度极好。
SU-8 Microchemg/h/i-Line负性0.5um0.5-650具有较大的高宽比，透明度高，垂直度极好。
g/h/i-Line正性1um1—30可用于选择性电镀电镀，深硅刻蚀等工艺。
NR26-25000Pg/h/i-Line负性
20-130厚度大，相对容易去胶。
电子束光刻胶型号光源类型分辨率厚度（um)适用范围
SU-8 GM1010电子束负性100nm0.1-0.2可用于做高宽比较大的纳米结构。
HSQ电子束负性6nm30nm~180nm分辨率较好的光刻胶，抗刻蚀。
XR-1541-002/004/006
HSQ Fox-15/16电子束负性100nm350nm~810nm分辨率较好的光刻胶，抗刻蚀。
PMMA(国产)电子束正性\\高分辨率，适用于各种电子束光刻工艺，较常用的电子束光刻正胶。
PMMA（进口）电子束正性\\MicroChem，各种分子量，适用于各种电子束光刻工艺，较常用的电子束光刻正胶。
薄胶型号光源类型分辨率厚度（um)适用范围
S18xx系列g-Line正性0.5um0.4-3.5较常用的薄光刻胶，分辨率高，稳定可靠。
SPR955系列i-Line正性0.35um0.7-1.6进口高分辨率（0.35um）光刻胶，稳定可靠。
BCI-3511i-Line正性0.35um0.5-2国产0.35um光刻胶，已经在量产单位规模使用。
NRD6015248nm负性0.2um0.7-1.3国产深紫外光刻胶，已经在量产单位规模使用。
Lift off光刻胶型号光源类型分辨率厚度（μm)适用范围
KXN5735-LOg/h/i-Line负性4μm2.2-5.2负性光刻胶;倒角65-80°，使用普通正胶显影液显影。
LOL2000/3000g/h/i-Line/NA130nm-300nm非感光性树脂，可以被显影液溶解，作为lift off双层胶工艺中底层胶使用。
ROL-7133g/h/i-Line/4um2.8-4负性光刻胶，倒角75~80°，使用普通正胶显影液。
光刻胶配套试剂品名主要成分包装应用//
正胶显影液TMAH 2.38%4LR/PC正胶显影液//
正胶稀释剂PGMEA4LR/PC稀释剂//
SU8 显影液PGMEA4L/PC显影SU8光刻胶//
RD-HMDSHMDS500ml/PC增粘剂//
OMNICOAT见MSDS500ml/PCSU-8增粘剂//
wyf 01.26
本站仅提供存储服务，所有内容均由用户发布，如发现有害或侵权内容，请
点击举报。
