人们对半导体材料的高度需求，使得以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体材料踏入了高速发展的轨道。由于第三代半导体在电子迁移率、饱和漂移速率、禁带宽度三项指标上有着优异的表现，因此制成的器件可以耐高压、耐高温，并且功率大、抗辐射、导电性能强、工作速度快、工作损耗低，在半导体照明、汽车电子、5G通信等领域具有广阔的应用前景。
然而，半导体器件朝高电压、大电流、大功率密度、小尺寸等方向的不断发展，致使其产生的单位热度越来越高，带来的是对电子封装技术的更高要求。其中，电子封装用基板材料要求具有低成本、易加工、高导热性与绝缘等特性，而陶瓷凭借其极好的耐高温、耐腐蚀、热导率高、机械强度高、热膨胀系数与芯片相匹配及不易劣化等特性成为大功率、高密度、高温及高频器件封装的首选。
陶瓷基板
可采用的陶瓷基板材料中，氮化硅和氮化铝目前相当被看好。前者力学性能优秀，理论热导率高，但为了发挥出这些优势制备工艺上还需优化；后者热导率非常优异，但在常温下硬度极高且其脆性大，加工难度高。可以说性能上二者各有千秋，制备上也各有各的难处。
陶瓷基板的制备工序中，成型是最关键的步骤之一，相关工艺有很多，包括干压、注浆、挤压、注射、流延方法和等静压法等等。其中注射成型效率虽高，但做大尺寸薄板比较困难；干压成型产品密度高、基板平整度容易保证，但生产效率低、成本高，制备超薄基板比较困难；流延成型是兼具高生产效率、超薄的双重优点，但要制备出性能稳定、均一性高的陶瓷薄片并不容易，控制良品率是其面临的主要问题。
如果您想对陶瓷基板的工业化生产做进一步了解，在9月14-15日于广州举办的“2021年全国氮化物粉体与陶瓷创新发展论坛”上，来自西安鑫乙电子科技有限公司的刘伟总经理将在其题为《氮化硅/氮化铝陶瓷基板成型工艺与设备》的报告中对氮化硅/氮化铝陶瓷基板的流延工艺及装备做深入的介绍，讲述国内流延机从国外引进——国产化——走出国门的发展历程以及目前流延技术所面临的挑战等。
刘伟总经理
据悉，西安鑫乙电子科技有限公司多年来在陶瓷基板生产的基础上不断创新和研发，在流延产品上不断改进和提高，对于现在市场主流的氮化硅、氧化铝、氧化锆、氮化铝陶瓷基板的流延生产都有着非常成熟的实战经验，感兴趣的话就不要错过啦。
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