稳定结构的二维碳化硅（2D-SiC）首次问世

国际科研期刊Nanomaterials（纳米材料）近日发表了（第七期第11卷）美国新墨西哥大学SakinehChabi教授和她的团队的研究成果，他们首次制备出世界上首个稳定的（2D-SiC）单层碳化硅，这种材料具有可见光发射特性，在发光器件和集成微电子电路中具有潜在的应用前景。

论文地址：DOI:10.3390/nano11071799

剥落过程和分散碳化硅的照片（包括光学显微镜、AFM、SEM图等）

理论研究表明2D-SiC具有稳定的类石墨烯蜂窝结构，是一种直接禁带半导体材料。然而，在实验上，二维碳化硅的生长几十年来一直困扰着科学家，因为大块碳化硅是一种强共价键合材料。此外，大块SiC存在于250多种类型中，使合成过程更加复杂。

Chabi教授团队自上而下地通过在异丙醇IPA或N-甲基-2-吡咯烷酮NMP溶剂中对大块六角SiC进行湿法剥离，成功地从六方碳化硅中分离出2D-SiC。

TEM和Raman结果表明，单层SiC具有稳定的类石墨烯结构，所制备的纳米片纯度高，结晶度高。与存在于250多种类型中的大块碳化硅不同，单层碳化硅没有任何多型体。因此，2D-SiC的应用将比现有SiC材料简单。研究人员认为，在2D-SiC和相关材料方面的不断突破可能会开创一个半导体材料的新时代，在光电子学和电子学、生物成像和传感以及计算方面有着令人兴奋的应用。

编辑整理：YUXI