三星高级技术学院SAIT的研究人员与蔚山国立科学技术学院UNIST和剑桥大学合作,发现了一种名为非晶态氮化硼(a-BN)的新材料,它可能成为新一代半导体的材料,加速下一代半导体的问世,这项研究已经在《自然》杂志上发表。
最近SAIT一直在研究2D材料——具有单原子层的晶体材料的研究和开发,具体而言该研究所一直致力于石墨烯的研究和开发,并在该领域取得了突破性的研究成果,例如开发了新的石墨烯晶体管以及生产大面积单晶芯片的新方法,除了研究和开发石墨烯之外,SAIT还致力于加速材料的商业化。
新发现的材料名为非晶态氮化硼(a-BN),由具有非晶分子结构的硼和氮原子组成。尽管非晶态氮化硼衍生自白色石墨烯,其中包括以六边形结构排列的硼和氮原子,但实际上a-BN的分子结构使其与白色石墨烯拥有独特的区别。
非晶态氮化硼拥有同类最佳的1.78超低导电系数,拥有强大的电气与机械性能,可以用作互连隔离材料以最大程度地减少电干扰。还证明了这种材料可以在仅400℃的温度下以晶圆级生长,因此预计非晶态氮化硼将广泛应用在DRAM和NAND这种存储半导体上,尤其是用于大型服务器的新一代存储器当中。
SAIT副总裁兼无机材料实验室负责人Park Seongjun Park说:最近,人们对2D材料及其衍生的新材料的兴趣不断增加。但是,将这些材料应用于现有的半导体工艺依然存在许多挑战。我们将继续开发新材料来领导半导体的范式转换。
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