在2017冬季分析师会议上，美光宣布CEO Mark Durcan退休，该公司将寻找新的CEO人选，这意味着美光即将进入新的时代。在这次会议上，美光公司还公布了一系列产品路线图，涉及NAND闪存及DRAM内存两个主力，引人注意的是美光今年将量产64层3D NAND闪存，并研究QLC闪存的市场需求，DRAM内存也在推进1X、1Ynm工艺进展，并准备推出GDDR6。
过去的大半年中，NAND闪存及DRAM内存的涨价让不少存储芯片厂商的日子大大改善，三星、SK Hynix及东芝就不少了，美光也受益良多，去年底公布的2017财年Q1财报中营收39.7亿美元，比上涨23%，同比上涨19%，净利润1.8亿美元，而上个季度还净亏损了1.7亿美元。
在这次的分析师会议中，美光又公布了未来的产品路线图，主要有NAND和DRAM两大类产品，来看下Computerbase网站的报道，首先是美光2016年取得的成绩。
美光2016年取得的成绩
2016年中，DRAM产线上美光成功转换到了20nm工艺，产能不断增加，1Xnm DRAM内存正在稳步进行中。闪存方面，美光及Intel量产了32层堆栈的第一代3D NAND闪存，成本、性能相比平面NAND闪存大为改善，64层3D NAND闪存正在开发中。
NAND闪存工艺进展
先说闪存方面的，美光今年主要是生产32层堆栈的TLC闪存，2017财年底（今年9月之前）将会制造64层3D NAND闪存，这是第二代3D NAND闪存了，而第三代3D NAND闪存预计会在2017年下半年推出，不过细节未知，从美光公布的数据来看，3代3D闪存每单位晶圆的GB容量进一步提升40%。
值得注意的是，美光也提到了QLC闪存，在此之前东芝及西数也公开提到了研发QLC闪存，也是每个cell单元储存4位数据的NAND，TLC则是3位数据。不过QLC闪存目前还只是研发阶段，真正上市还早呢。
世界最小的256Gb闪存
虽然美光的3D NAND闪存量产时间晚于三星，不过他们在3D NAND也有独到之处，此前美光/Intel就公布过世界上容量最高的384Gb TLC闪存，这次美光又公布了世界上核心面积最小的256Gb 3D NAND闪存核心，只有59mm2，与其他厂商的64层3D NAND相比，美光的256Gb核心密度达到了4.3Gb/mm2，比竞品高出25%左右。
由于面积更低，美光的256Gb核心3D NAND主要用于移动市场，另外还有512Gb的TLC闪存，不过演示中并没有提及。
美光DRAM技术路线图
在DRAM内存技术方面，美光去年完成了20nm工艺转换，2017年还会继续推进新制程研发，2017财年底会实现有意义的1Xnm工艺DRAM生产，每Gb成本预计降低20%以上。2017年下半年则会开始转向1Ynm工艺，而美国、日本的研发中心也会进行第三代10nm级工艺1Znm研发。
目前显卡使用的显存是GDDR5及GDDR5X，后者还是美光独家提供的，而在未来产品上，美光预计会在今年底或者明年初推出GDDR6显存，这跟三星在2018年推出GDDR6显存的计划差不多。
此外，美光及Intel联合开发的3D XPoint闪存也没啥消息，Intel好歹还推出了16、32GB容量的3D XPoint闪存，美光虽然将其命名为QuantX产品线，但一直没有产品宣布。
至于更黑科技的存储芯片，美光也简单提了一下，包括ReRAM、STT MRAM等等，这些芯片的性能会接近DRAM内存，而且还是非易失性的，但成本也会高得多。
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