三星作为半导体行业老大，为了保持自身的优势也是操碎了心，今天就发布了关于未来存储产品的一些规划。明年三星将会量产单芯片1Tb（128GB）容量V-NAND闪存颗粒，年底量产16TB的NGSFF SSD，系统响应时间更快的Z-SSD，全新的Key Value SSD。
三星3D垂直闪存V-NAND量产于2013年，至今也有四年多的历史，凭借这个三星才得以走在其他公司前列中。目前V-NAND已经发展到第四代，已经开始批量生产64层堆叠的256Gb（64GB）V-NAND闪存颗粒，更快的传输速率、更低的功耗、更快响应时间都是V-NAND型闪存所追求的。
三星宣布明年将会准备量产单芯片1Tb的V-NAND闪存颗粒，那么目前的第四代已经是64层堆叠才能达到256Gb容量，明年量产的第五代依靠的是什么？没错，就是你们不愿意见到的QLC，也就是一个Cell里面存储4比特位的信息，容量提高了，带来的副作用就是速度、寿命的下降。我们希望明年三星的QLC产品可以有一个比较合理的容量、性能、寿命。
在服务器上，三星为其准备了NGSFF (Next Generation Small Form Factor) 规格SSD，主要是适用于1U的服务器上，可以提高了服务器存储数据容量和IOPS。我们都知道M.2 SSD标准有个规范名字叫NGFF，那么NGSFF是不是意味着尺寸更小，其实反而更胖了，具体规格为30.5mm x 110mm x 4.38mm，第一批NGSFF SSD将会在今年第三季度出货。
在去年引入Z-NAND之后，三星推出了第一款Z-SSD产品SZ985，Z-SSD采用的3D V-NAND芯片拥有"独特的电路设计"，同时搭配经过调整的控制器，能够提供远超其它V-NAND SSD的速度表现，延迟水平仅相当于其它V-NAND SSD的四分之一。第二代的Z-NAND延迟将会更低，适用于数据密集型环境，例如大数据分析、充当高性能服务器的缓存部分。相比普通NVMe SSD，Z-SSD可以减少12倍系统延迟。
最后三星还提到就会有一个全新技术产品Key Value SSD，专攻大数据解决方案。砍掉了不必要的硬件层，减少多余的访问步骤，使得应用程序可以直接访问到闪存颗粒，提高效率，并且可以提供SSD读写性能、容量。
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