三星正式推出业界首款第三代HBM2E内存：推动高性能计算系统的发展

三星昨天宣布推出业界首款第三代HBM2E内存，新的HBM2E内存由8颗16Gb的DRAM颗粒堆叠而成，单个封装可以达到16GB的总容量，并且其拥有高达3.2Gbps的传输速率。

三星的这款HBM2E中可以堆叠8个1y nm制程的16Gb DRAM颗粒，内部连接使用的是TSV技术，不过8层这个数量并不是三星目前能够做到的极限，在去年十月份的时候他们就已经宣布了12层3D-TSV封装工艺，我们未来肯定可以看到更大容量的单颗HBM内存。

HBM2E是HBM2的升级版标准，由JEDEC在2018年标准化，官方标准中它的单颗堆叠带宽为307GB/s。而三星这次推出的新HBM2E在带宽上面有比较明显的提升，在默认的3.2Gbps下，单颗HBM2E就可以提供高达410GB/s的带宽，另外三星内部测试中新的HBM2E可以达到的最高传输速率为4.2Gbps，此时的带宽高达538GB/s，比上代产品高出75％。

实际上三星在去年三月份就已经发布了这款产品，不过这次是宣布它即将要进入量产。新的HBM2E预计在今年上半年进入量产环节，他们也会继续提供老的第二代产品。目前消费级显卡普遍放弃了高成本的HBM内存，选择了成本更低但带宽也足够用的GDDR6，不过在高性能计算市场中，HBM已经占据了很大的市场份额了，还有各种AI加速芯片也需要较高的内存带宽，像NVIDIA的计算卡就普遍采用了HBM2作为显存，新的HBM2E将会缓解内存方面的瓶颈，让计算性能不再受限于内存。