上个月的ISSCC 2020是半导体业界集中展示新技术的一次峰会，除了上周我们报道过了的AMD，还有很多芯片界巨头也在ISSCC 2020上面发表了一些尖端技术，比如铠侠和西部数据就联合发布了一种新的存储级内存（StorageClassMemory）——XL-FLASH。
图片来自于PC Watch，下同
存储级内存（SCM）是业界对介于闪存与内存之间的新存储介质的统一命名，我们熟悉的傲腾3D-XPoint就属于SCM。由于很多SCM兼有内存低延迟高读写速率和非易失的特性，已经成为了业界新的关注点，几大主要的闪存制造商都在开发自己的SCM技术，比如Intel和美光联合开发的3D-XPoint，三星自己在开发的Z-NAND都算在这个范畴内，虽然我们知道后者其实只能算是目前NAND的改良版本。
而铠侠和西部数据当然不会坐着看戏，他们也有自己的SCM计划，就是本次公布的XL-FLASH。
XL-FLASH实际上与三星的Z-NAND有点相似，实质也是在目前的3D NAND上面进行改进得到的产物，从对比规格来看，它的整体表现将会比Z-NAND好上那么一些，比起自家的TLC是高一个次元了。
左：96层，512Gb的3D TLC；右：128Gb的XL-FLASH
XL-FLASH在结构上与普通的BiCS闪存存在较大的区别，普通的512Gb闪存只是简单地被分成两个平面，而XL-FLASH则是将阵列细分化，128Gb颗粒中的存储单元阵列被划分为16个小单元，每个单元都有配套的4KB S/A。另外在划分为小阵列之后，其字线和位线都变短了，访问单元的延迟比字线和位线长的多的普通NAND是要低非常多的，其中字线的延迟时间可能会减少到只有1/20的地步。
另外在主控层面和电路上面也会对XL-FLASH进行针对性的优化，以实现更低的写入延迟。
铠侠和西部数据用自己的方法构建出了SCM级别的新颗粒，而且在去年已经有厂家展示了使用XL-FLASH的产品。由于它的内部结构并不像3D-XPoint那样是完全新的，其制造成本是相对要低一些的，但效果还是相当明显的。我们未来能够看到Z-NAND，3D-XPoint和XL-FLASH的同台竞争。
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