摘 要： 基于90 nm CMOS标准工艺，设计了一种低温漂的带隙基准源电路。一种结构新颖的温度曲率校正电路被采用，作为一级温度补偿电路的曲率校正电路。Hspice仿真结果表明：所设计电压源在温度－20 ℃～+120 ℃范围内，平均温度系数约为2.2 ppm/℃，获得了一个低压高精度的带隙基准电压源。
0 引言
在高精度集成电路系统中，低温度系数﹑低工作电压基准源的设计十分重要，基准电压的温度特性直接影响电路精度和性能。本文根据低温度系数﹑低工作电压的要求，基于标准CMOS工艺设计，采用低压运算放大器，提出了温度曲率校正的方法，最终实现了低温度系数﹑低工作电压的CMOS带隙基准源设计。经过仿真验证，电源电压在1.3 V时电路可以正常工作，输出电压的平均温度系数约为2.2 ppm/℃。
1 一阶温度补偿电路
如图1所示，电路中采用了一种低电压运算放大器进行钳位，保证M、N电压近似相等。电路设计器件M1、M2、M3的尺寸相同，Q1和Q2的发射极面积为M：1，电阻R1=R2。
由于：VM=VN、R1=R2、I1=I2=I3，所以：I1a=I2a、I1b=I2b
I1a=VBE1/R1、I1b=I2b=(VBE1-VBE2)/R3=VT ln M/R3
I3=I1=I2=I1a+I1b=VBE1/R1+VT ln M/R3
输出电压：
从式(1)可知，VBE1为负温度系数电压，VT ln M为正温度系数电压，所以输出电压VOUT为一个经过一阶温度补偿的电压，可以通过调整电阻比值和系数M调整输出电压VOUT的大小和精度。
2 曲率补偿
图1所示的电路并不能满足对高精度基准源输出的要求，原因是双极晶体管的基极-发射极电压VBE，即PN结二极管的正向电压是负的高阶温度系数，一阶温度补偿电路不能消除高阶温度系数影响，要减少带隙基准源的温度系数，必须消除高阶温度系数的影响。曲率校正电路如图2所示。
图2中M4、M5、M10、M11、R5构成偏置电路，M10、M11工作在亚阈值工作区，利用MOS器件的亚阈值特性为C点提供正温度系数的偏置电压，C点提供正温度系数的偏置电压，器件M6、M7、M8、M9的电流是温度的高阶函数。设计M7和M9尺寸相同，进而电流I7=In。
VD=VT ln(Ic/ISS)，VE=VT ln[(Id+In)/ISS]
在D、E两点产生电压差，In×R4=(VD-VE)=VT ln[(Id+In)/ISS]。
In对温度求偏导得：
由式(2)可知，将高阶温度补偿电流In引入到一级温度补偿电路作为补偿电流，输出电压式(1)调整为：
式(3)中，In是温度的高阶函数电流，通过调节补偿电流的大小可以调节VOUT的高阶温度系数。
3 电路仿真
如图3所示，电源电压VCC为1.8 V，温度扫描范围为-20 ℃～120 ℃，一阶温度补偿电路输出电压平均温度系数为11 ppm/℃。
如图4所示，电源电压VCC为1.8 V，温度扫描范围为-20 ℃～120 ℃。从图中可以看到补偿电流是温度的高阶函数。
如图5所示，经过曲率校正电路校正，电源电压VCC为1.8 V，温度扫描范围为-20 ℃～120 ℃，输出电压平均温度系数为2.2 ppm/℃。
如图6所示，在27 ℃环境下，对电源电压进行DC扫描，电源电压大于1.3 V电路就可正常工作。
比较图3和图5所示的Hspice仿真结果，可以发现经过曲率校正电路对输出电压进行高阶温度补偿，使得输出电压平均温度系数从原来的11 ppm/℃减小到2.2 ppm/℃，输出电压具有更高的输出精度。图6所示，在27 ℃环境下，电源电压在1.3 V时电路就可以正常工作了。
参考文献
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