【精品博文】DDR扫盲——DDR3基础知识

Burst Length为固定的BC4和BL8，它们在“on the fly”能够和读命令或者写命令通过A12/BC引脚进行选择。

RL为总的读取潜伏期，其被定义为Additive Latency(AL)+CAS Latency(CL)；

CAS Latency为读取潜伏，为内部读命令和第一个bit有效数据输出之间的时钟周期；

Additive Latency为附加潜伏期，它的作用为使命令和数据总线更有效，即允许读或者写命令紧跟有效命令；

CAS Write Latency（CWL）列写潜伏期，被定义为内部写命令和第一个bit有效数据输入之间的时钟周期延时；DDR3 SDRAM 不支持半周期潜伏，总的写潜伏为Write Latency(WL)=Additive Latency(AL)+CAS

·tDQSCK是差分时钟的交叉点到数据选通脉冲的交叉点的时间； 

·tQSH是DQS的差分输出高电平时间； 

·tQSL是DQS的差分输出低电平时间； 

·tDQSQ是最近数据选通脉冲到数据有效的时间； 

·tQH是数据选通脉冲到最早的无效数据无法正确判断数据是否为1的时间；

读时序

ODT（On-Termination）提供打开和关闭终结电阻的功能，该功能只为DQ、DQS、/DQS和DM管脚开放；

地址/命令建立时间、保持时间和降额

tis(total setup time)=tis(base)+ ∆tis

tih(total setup time)=tih(base)+ ∆tih

数据建立时间、保持时间和降额

tDS(total setup  time)=tDS(base)+ ∆tDS

tDH(total hold  time)=tDH(base)+ ∆tDH