【原创资讯】硼对DWNT的选择性掺杂来提高电导率

碳纳米管（六角形碳晶格的微小空心管）具有优异的电、热和机械性能，被认为是建筑领域最有希望的材料之一。选择性功能是通过向碳纳米管中添加元素以制造晶体管、复合添加剂、场发射器和透明导电膜来实现的。

掺有硼的碳纳米管可以使纳米管的结构更具功能性，同时增加了调节电性能的能力。硼掺杂到同轴排列的两个单壁碳纳米管（双壁碳纳米管：DWNTs）中有望用于电子设备、复合材料、储能和发电材料等领域。

日本信洲大学是全日本唯一一所设有“纤维学部”的大学，近日，由信州大学的村松博之领导的研究小组成功地用硼选择性掺杂了DWNTs的外纳米管。在这项研究中，村松和他的团队能够选择性地将硼添加到DWNT的外管中，这显着提高了电导率和塞贝克系数，从而大大提高了DWNT的热电性能。

技术的进步允许在保持内部CNT功能的同时，增加功能性（例如高电导率、化学活化和改善热电性能）。村松和他的团队成功地发现了在不改变DWNT同轴结构的情况下，在单个CNT最外层上复杂掺杂硼的条件。只有这样，他们才能真正证明并确认合成DWNT的特性。

掺硼的DWNT有望用于热电应用中，以收集废热，用于发电和其他高级应用。松认为，通过基础研究和了解外管选择性掺硼DWNT的基本性能，可以发现更多的应用，同时增强与各种应用相关的性能。最终目标是从战略上利用DWNT的结构和物理特性来添加独特的功能和特性，并详细研究新的原理和方法，以建立更具选择性的高浓度掺杂方法，并研究其对结构和功能的影响。

（来源 信洲大学）