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2021.02.23
惠海半导体-庞工15323519289
MOS管型号:HG021N10L-A
参数:100V25A(25N10)
内阻:25mR(VGS=10V)
结电容:839pF
类型:SGT工艺NMOS
开启电压:1.4V
封装:TO-252
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