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电弧打火机MOS管方案分析
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  惠海半导体-庞工15323519289

MOS管型号：HG021N10L-A

参数：100V25A（25N10）

内阻：25mR（VGS=10V）

结电容：839pF

类型：SGT工艺NMOS

开启电压：1.4V

封装：TO-252

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