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2021.03.08
MOS管型号:HG160N10L
MOS管参数:100V 8A
低内阻:110mR(VGS=10V)
低结电容:201pF
类型:SGT工艺NMOS
低开启电压:1.7V
封装:TO-252
HG160N10L特点:
低损耗
高频率 大电流
低开启电压 低内阻 结电容小
低消耗 温升低 转换效率高
过电流达 抗冲击能力强
SGT工艺 开关损耗小
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