按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。
若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型,
绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。
而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
见下图:箭头向里,N沟道。
箭头向外,P沟道。
★耗尽型与增强型的图标区别。
耗尽型在Vgs=0时,就有耗尽电子层。 增强型需在Vgs>Vt(开启电压)时,建立耗尽电子层沟道。
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