金刚石是一种典型的先进碳材料，其硬度几乎被发挥到极致，其他性能在近几年也被逐渐发挥出来。如室温下高热导率、极低的热膨胀系数、低的摩擦系数、良好的化学稳定性、大的禁带宽度(5.5eV)、高的声传播速度、掺杂诱导的半导体特性以及高的光学透过率，使其在机械加工、微电子器件、光学窗口及表面涂层等许多领域有着广阔的应用前景。
作为一种典型的第三代半导体材料（超宽禁带半导体），单晶金刚石集电学、光学、力学、声学和热学等优异特性于一体，在高温、高效、超大功率毫米波电子器件，电力电子器件，生物传感器，光电探测与成像，粒子探测与成像，航空航天等系统方面有着极其重要的应用前景，被业界誉为“终极半导体”。金刚石电子器件相比其他半导体器件还具有体积小、集成度高和无需制冷的优势。在节能减排、打造绿色地球方面将发挥其独特的优势，将引发新一代半导体技术的革命。
然而目前金刚石材料用于宽禁带半导体，还有很多问题需要解决。例如突破高质量、大面积单晶金刚石晶圆和电子器件级单晶金刚石薄膜的生长技术，许多国际知名专家认为这是单晶金刚石掺杂和走向应用的重要基础。此外，单晶金刚石的缺陷特性、掺杂、载流子输运调控及欧姆接触和肖特基接触也是单晶金刚石正式迈入半导体应用领域的准入证。若将强金刚石与其他半导体形成异质结和异构结构方面的研究，则有望开辟金刚石基半导体在能带工程和量子器件领域的新应用。
作为国际金刚石、半导体领域的知名专家，国家千人，西安交通大学王宏兴教授将在12月11-13日出席第三届国际碳材料大会，组委会已邀请王老师担任新一代信息技术产业论坛主席，以下是王老师带来的重要信息。
王宏兴教授
个人简介：王宏兴，西安交通大学教授，“国家千人”特聘专家。2001年在日本德岛大学获得博士学位。其后作为高级研究员加入日本Nitride Semiconductor 公司。2004-2008作为执行董事加入了日本Dialight Japan公司。2008-2013作为研发经理加入Seki technotron 公司。于2013年全职加入西安交通大学。主要研究领域为：半导体生长用MOCVD，MPCVD；III-V氮化物材料及发光器件；大尺寸单晶金刚石及电子器件；量子光源及传感器。多项成果被采纳用于规模化生产。拥有100余项专利，发表SCI文章100余篇。
报告题目：金刚石半导体的新进展
报告介绍：本次报告将系统性地介绍单晶金刚石外延设备、单晶金刚石克隆技术、英寸级单晶金刚石外延生长、电子器件级高质量薄膜与掺杂、到电子器件开发的国内外发展动态，同时介绍西安交通大学宽禁带半导体材料与器件的研究成就。
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